--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、MTD4P05T4-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MTD4P05T4-VB 是一款高效能的 **單 N 溝道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **TO252 封裝**。該器件具備 **60V** 的漏源電壓 (VDS) 和 **±20V** 的柵源電壓 (VGS),其閾值電壓為 **1.7V**。在 **VGS = 10V** 時(shí),該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 **73mΩ**,在 **VGS = 4.5V** 時(shí)為 **85mΩ**,支持最大 **18A** 的漏極電流 (ID)。MTD4P05T4-VB 采用 **Trench 技術(shù)**,提供高效的開關(guān)性能和低功耗特性,特別適合用于各種電源管理和開關(guān)電源設(shè)計(jì)中。
---
### 二、MTD4P05T4-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
|--------------------|--------------------------------|
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | Single N-Channel |
| **漏源電壓 (VDS)** | 60 V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20 V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7 V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 85 mΩ @ VGS = 4.5 V |
| | 73 mΩ @ VGS = 10 V |
| **漏極電流 (ID)** | 18 A |
| **技術(shù)** | Trench |
MTD4P05T4-VB 具備低導(dǎo)通電阻和較高的漏極電流能力,使其在高效能和低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
---
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
1. **電源管理**
MTD4P05T4-VB 在電源管理系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用,作為負(fù)載開關(guān)和電源切換器,能夠高效控制電源輸出,確保電子設(shè)備在安全和高效的狀態(tài)下運(yùn)行,適合各種家用和工業(yè)電源控制。
2. **開關(guān)電源 (SMPS)**
該 MOSFET 常被用于開關(guān)電源模塊中,提供高效的開關(guān)操作,適合高頻率信號(hào)的處理,降低功耗,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、充電器和其他電源解決方案。
3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**
MTD4P05T4-VB 適合用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,能夠高效控制 LED 的電流,提升照明系統(tǒng)的整體效率,廣泛應(yīng)用于商業(yè)和家用 LED 照明。
4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該器件能夠提供強(qiáng)勁的電流,適合控制直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī),廣泛用于電動(dòng)工具、家用電器和自動(dòng)化設(shè)備中,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行。
5. **通信設(shè)備**
MTD4P05T4-VB 也適用于通信設(shè)備中的電源模塊,確保電源的穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于無線通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。
通過其優(yōu)越的性能,MTD4P05T4-VB 成為現(xiàn)代電源管理與控制應(yīng)用中不可或缺的重要組件,為各類電子設(shè)備的高效能運(yùn)行提供支持。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛