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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MTD6N10E-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MTD6N10E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MTD6N10E-VB 產(chǎn)品簡介

**MTD6N10E-VB** 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 **TO252 封裝**,專為高壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其 **漏極-源極電壓 (VDS)** 高達(dá) **100V**,使其能夠在要求較高電壓的電路中可靠工作。該器件的最大 **15A** 的連續(xù)漏電流 (ID) 確保了其能夠驅(qū)動大電流負(fù)載,適用于多種應(yīng)用場合。在 **VGS=10V** 時,其導(dǎo)通電阻為 **114mΩ**,提供低導(dǎo)通損耗,優(yōu)化了整體系統(tǒng)效率。MTD6N10E-VB 采用 **Trench 技術(shù)**,使其在開關(guān)速度和導(dǎo)通特性上都表現(xiàn)出色,非常適合高頻應(yīng)用。

---

### MTD6N10E-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 114mΩ @ VGS = 10V  
- **最大連續(xù)漏電流 (ID)**: 15A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:MTD6N10E-VB 可用于各種電源管理電路,包括電源轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,能夠處理高達(dá) 100V 的輸入電壓,適合用于工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**:在電動機(jī)控制應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠作為高效的開關(guān)元件,適用于直流電動機(jī)和步進(jìn)電動機(jī)驅(qū)動電路,實(shí)現(xiàn)精確的速度和扭矩控制,廣泛應(yīng)用于電動工具和家用電器中。

3. **LED 驅(qū)動**:MTD6N10E-VB 可以作為 LED 驅(qū)動電路的開關(guān)元件,適用于需要高電壓和高電流的 LED 照明系統(tǒng),確保高效的能量轉(zhuǎn)換和長壽命。

4. **通信設(shè)備**:該 MOSFET 適用于高頻通信設(shè)備中的功率放大和開關(guān)應(yīng)用,如基站、路由器和其他無線設(shè)備,能夠有效提升設(shè)備的工作效率。

5. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,MTD6N10E-VB 可以用作電源管理和負(fù)載開關(guān),適合用于智能車載電源系統(tǒng)和安全設(shè)備,確??煽啃院托阅?。

綜上所述,MTD6N10E-VB 是一款高效能的 N 溝道 MOSFET,廣泛適用于電源管理、電動機(jī)驅(qū)動和 LED 驅(qū)動等多個領(lǐng)域,能夠顯著提升電子設(shè)備的性能和可靠性。

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