91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

NCE0117K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NCE0117K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 25A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NCE0117K-VB 產(chǎn)品簡介

NCE0117K-VB 是一款高性能單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的高電壓和高電流需求。該 MOSFET 的最大漏極-源極電壓(VDS)為 100V,適合用于高壓應(yīng)用。其閾值電壓(Vth)為 1.8V,確保在低柵極電壓下實現(xiàn)良好的開關(guān)性能。NCE0117K-VB 在 VGS 為 4.5V 時,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 57mΩ,在 VGS 為 10V 時為 55mΩ,能夠承載最大 25A 的漏極電流(ID)。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有優(yōu)越的熱管理和能效表現(xiàn),廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換和功率管理領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:NCE0117K-VB  
- **封裝**:TO252  
- **配置**:單 N 通道  
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:100V  
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 57mΩ @ VGS = 4.5V
 - 55mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:25A  
- **技術(shù)**:Trench  

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

NCE0117K-VB MOSFET 由于其優(yōu)秀的性能,適合用于多種應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:在開關(guān)電源中,NCE0117K-VB 可作為高壓開關(guān)元件,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,適用于各種工業(yè)和消費電子產(chǎn)品。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在直流-直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,NCE0117K-VB 可以實現(xiàn)高效的電壓調(diào)整,尤其是在電池供電的設(shè)備和電動汽車的電源管理系統(tǒng)中。

3. **電機驅(qū)動**:在電機控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于驅(qū)動電動機,實現(xiàn)高效的能量傳輸和控制,廣泛應(yīng)用于電動工具和自動化設(shè)備。

4. **LED 驅(qū)動電源**:NCE0117K-VB 可用于高功率 LED 驅(qū)動,確保穩(wěn)定的電流供應(yīng),以提高照明效率和延長使用壽命。

5. **消費電子產(chǎn)品**:在智能手機、平板電腦等消費電子產(chǎn)品的電源管理中,NCE0117K-VB 能夠優(yōu)化能效和提升系統(tǒng)性能。

通過這些應(yīng)用,NCE0117K-VB MOSFET 顯示出其在現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計中的重要性,滿足高效能、高可靠性和高集成度的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    492瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    417瀏覽量