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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NCE0224K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NCE0224K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:NCE0224K-VB MOSFET

NCE0224K-VB 是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏極源電壓(VDS)為200V,適合各種工業(yè)和電源管理場合。該器件的柵源電壓(VGS)可達±20V,閾值電壓(Vth)為3V,確保在多種操作條件下的靈活性。NCE0224K-VB的導通電阻(RDS(ON)為55mΩ@VGS=10V),使其在高達30A的漏極電流(ID)下表現(xiàn)出良好的熱性能和能效。其Trench技術(shù)設(shè)計提供了低導通損耗和高可靠性,適合于高功率應(yīng)用。

---

### 詳細參數(shù)說明:

- **型號**:NCE0224K-VB  
- **封裝**:TO252  
- **配置**:單N通道  
- **最大漏極源電壓(VDS)**:200V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **閾值電壓(Vth)**:3V  
- **導通電阻(RDS(ON))**:  
 - @VGS = 10V:55mΩ  
- **最大漏極電流(ID)**:30A  
- **技術(shù)**:Trench  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:  
  NCE0224K-VB 在高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備和電力電子模塊中。

2. **電機驅(qū)動系統(tǒng)**:  
  該MOSFET可用于電動機控制電路,尤其是在高壓和高功率要求的場合,確保電動機的高效驅(qū)動和可靠運行。

3. **可再生能源系統(tǒng)**:  
  在太陽能逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)中,NCE0224K-VB 可用于能量轉(zhuǎn)換與傳輸,提高可再生能源的使用效率。

4. **電池管理系統(tǒng)**:  
  用于電動汽車或儲能設(shè)備的電池保護和管理,提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。

5. **LED驅(qū)動和照明系統(tǒng)**:  
  在高壓LED照明模塊中提供電流驅(qū)動,確保燈具的性能和壽命,適合商業(yè)和工業(yè)照明應(yīng)用。

NCE0224K-VB MOSFET

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