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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NCE3050KA-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NCE3050KA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NCE3050KA-VB 產(chǎn)品簡介

NCE3050KA-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏極-源極電壓 (VDS) 為 30V,能夠在高達 80A 的漏極電流 (ID) 下穩(wěn)定工作。該 MOSFET 采用先進的 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),在 VGS 為 4.5V 時為 6mΩ,在 VGS 為 10V 時為 5mΩ。這些特性確保其在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,具有高效率和低功耗。閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,使其能夠在多種驅(qū)動電路中高效運行。

### NCE3050KA-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)              | 說明                        |
|------------------|----------------------------|
| **型號**         | NCE3050KA-VB               |
| **封裝**         | TO252                      |
| **配置**         | 單 N 通道                   |
| **最大 VDS**     | 30V                        |
| **最大 VGS**     | ±20V                       |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7V                       |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 6mΩ @ VGS = 4.5V       |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 5mΩ @ VGS = 10V        |
| **最大漏電流 (ID)** | 80A                       |
| **技術(shù)**         | Trench                     |

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: NCE3050KA-VB 廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,作為高效開關(guān)元件,能夠在快速開關(guān)操作中降低功耗,提升系統(tǒng)效率,特別適用于高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

2. **電機驅(qū)動**: 在電機控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于驅(qū)動直流電機、步進電機和無刷直流電機,提供穩(wěn)定的電流和高效能,適合工業(yè)自動化和機器人技術(shù)。

3. **LED 照明**: NCE3050KA-VB 也適用于 LED 驅(qū)動電路,能夠高效地控制大功率 LED 的開關(guān)和調(diào)光,確保長壽命和低功耗的照明解決方案。

4. **電動汽車**: 在電動汽車和混合動力汽車中,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)和電力分配,支持高電流處理能力,確保安全和高效的電力傳輸。

5. **消費電子**: NCE3050KA-VB 可應(yīng)用于各種消費電子產(chǎn)品中,如便攜式充電器和智能家居設(shè)備,以其高效能和小型化特性提升產(chǎn)品性能,延長電池壽命。

通過這些應(yīng)用示例,NCE3050KA-VB 顯示出其在現(xiàn)代電子設(shè)計中的廣泛適用性,成為高效能和高可靠性系統(tǒng)的理想選擇。

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