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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NCE30H12K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NCE30H12K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是NCE30H12K-VB單N通道MOSFET的詳細(xì)產(chǎn)品信息和應(yīng)用示例:

---

### **產(chǎn)品簡介**  
NCE30H12K-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為需要高電流和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用設(shè)計。其漏極至源極電壓(VDS)為30V,適合用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件的閾值電壓(Vth)為1.7V,確保其在低門極電壓下能夠快速導(dǎo)通。NCE30H12K-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為3mΩ,而在VGS=10V時更低,僅為2mΩ,這使其在工作時具有極低的功率損耗,從而提高了整體開關(guān)效率。其最大漏電流(ID)可達(dá)120A,非常適合處理高功率需求的應(yīng)用場合,確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運行。

---

### **詳細(xì)參數(shù)說明**  
- **型號**: NCE30H12K-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單N通道  
- **漏極至源極電壓 (VDS)**: 30V  
- **門極至源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 2mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏電流 (ID)**: 120A  
- **技術(shù)**: Trench  

---

### **應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例**  
NCE30H12K-VB適用于多個領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **電源管理**:在高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源調(diào)節(jié)器中,NCE30H12K-VB能夠有效地調(diào)節(jié)電壓并減少能量損耗,確保系統(tǒng)的高效運行。

2. **電動驅(qū)動**:該MOSFET在電動工具、電動汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠處理高達(dá)120A的電流,保證設(shè)備在高負(fù)載下的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **LED驅(qū)動**:在LED照明和其他照明應(yīng)用中,NCE30H12K-VB能提供精確的電流控制,提升整體亮度并減少功耗,延長產(chǎn)品壽命。

4. **通信設(shè)備**:在各種通信設(shè)備和基站中,該器件用于功率放大和電源切換,以提高系統(tǒng)的整體效率與穩(wěn)定性。

5. **消費電子**:在智能手機(jī)、平板電腦及其他消費電子產(chǎn)品的電源管理中,NCE30H12K-VB有助于提高電能利用率,從而增強(qiáng)設(shè)備的續(xù)航能力。

6. **汽車電子**:該MOSFET在電動和混合動力汽車的電源管理系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,能有效提升電源效率,降低能耗,增強(qiáng)整車的性能。

憑借其優(yōu)越的性能和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性,NCE30H12K-VB成為現(xiàn)代電路設(shè)計中不可或缺的功率管理元件。

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