--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
- ID 55A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
以下是 **NCE4045K-VB** MOSFET 的詳細(xì)產(chǎn)品信息,包括產(chǎn)品簡(jiǎn)介、參數(shù)說(shuō)明以及應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的示例。
---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**NCE4045K-VB** 是一款高性能的 **單N通道MOSFET**,采用 **TO252** 封裝,設(shè)計(jì)用于高效能電源管理應(yīng)用。其 **漏源電壓(VDS)** 為 **40V**,最大漏電流達(dá)到 **55A**,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性。該器件的 **閾值電壓(Vth)** 為 **2.5V**,適合在多種電源和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用。具有 **12mΩ** 的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 **VGS = 10V** 時(shí),提供出色的電流控制和效率,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。
---
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: NCE4045K-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **VDS (漏源電壓)**: 40V
- **VGS (柵源電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: 2.5V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **ID (最大漏電流)**: 55A
- **技術(shù)**: Trench
---
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**
NCE4045K-VB 廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng)中,能夠高效地控制電流流動(dòng),確保電源轉(zhuǎn)換效率,特別適合開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用。
2. **電動(dòng)汽車**
在電動(dòng)汽車的電池管理和驅(qū)動(dòng)控制中,NCE4045K-VB 可用于電流開(kāi)關(guān)和功率調(diào)節(jié),提供高效的能量傳輸和控制,提升電動(dòng)汽車的整體性能。
3. **家電控制**
該MOSFET 也常用于家電產(chǎn)品中,例如洗衣機(jī)和冰箱的電源開(kāi)關(guān),能在節(jié)能模式下高效工作,降低能耗。
4. **工業(yè)設(shè)備**
NCE4045K-VB 適合用于工業(yè)控制系統(tǒng),能夠在高負(fù)載條件下可靠地工作,提升設(shè)備的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。
5. **LED照明系統(tǒng)**
該器件在LED驅(qū)動(dòng)電路中表現(xiàn)出色,可有效控制LED的電流,確保穩(wěn)定的光輸出,并延長(zhǎng)LED的使用壽命。
---
**總結(jié)**: NCE4045K-VB 的 **40V** 漏源電壓和 **55A** 最大漏電流使其在電源管理、電動(dòng)汽車、家電和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域中成為理想的選擇。其低導(dǎo)通電阻與先進(jìn)的 **Trench 技術(shù)** 結(jié)合,提供卓越的性能和可靠性,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的多樣化需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛