91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

NCE40H12K-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NCE40H12K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 1.6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:NCE40H12K-VB MOSFET

NCE40H12K-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為高電流和低導(dǎo)通損耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓(VDS)為40V,能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作。其柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為3V,確保快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)。NCE40H12K-VB在@VGS=4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為3mΩ,在@VGS=10V時(shí)為1.6mΩ,顯示出極低的導(dǎo)通損耗和高電流承載能力,最大漏極電流(ID)為120A。這款MOSFET基于Trench技術(shù),具備良好的熱管理性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:NCE40H12K-VB  
- **封裝**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)蜰通道  
- **最大漏源電壓(VDS)**:40V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **閾值電壓(Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:  
 - @VGS = 4.5V:3mΩ  
 - @VGS = 10V:1.6mΩ  
- **最大漏極電流(ID)**:120A  
- **技術(shù)**:Trench  

---

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**:  
  NCE40H12K-VB在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊中發(fā)揮重要作用,適用于高效能電源的開(kāi)關(guān)控制,能夠降低轉(zhuǎn)換損耗,提升系統(tǒng)效率。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:  
  該MOSFET可用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,支持高電流需求的電機(jī)控制應(yīng)用,適合于電動(dòng)工具、家電和工業(yè)設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)控制,提供出色的啟動(dòng)和運(yùn)行性能。

3. **LED驅(qū)動(dòng)器**:  
  NCE40H12K-VB適用于LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)模塊,控制LED的電源供應(yīng),實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定的亮度調(diào)節(jié),適合各種照明場(chǎng)景。

4. **電池管理系統(tǒng)**:  
  在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源應(yīng)用中,該MOSFET可用于電池管理系統(tǒng),確保電池的高效充放電和保護(hù),提升電池的整體性能和壽命。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:  
  NCE40H12K-VB廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子設(shè)備的電源管理,作為開(kāi)關(guān)元件控制充電過(guò)程,保障設(shè)備的安全性和效率。

憑借其出色的電氣性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,NCE40H12K-VB已成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的重要組成部分,滿(mǎn)足了高效率和高可靠性的嚴(yán)格要求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    495瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    419瀏覽量