--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 1.6mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:NCE40H12K-VB MOSFET
NCE40H12K-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為高電流和低導(dǎo)通損耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓(VDS)為40V,能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作。其柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為3V,確保快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)。NCE40H12K-VB在@VGS=4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為3mΩ,在@VGS=10V時(shí)為1.6mΩ,顯示出極低的導(dǎo)通損耗和高電流承載能力,最大漏極電流(ID)為120A。這款MOSFET基于Trench技術(shù),具備良好的熱管理性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
---
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**:NCE40H12K-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **最大漏源電壓(VDS)**:40V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V:3mΩ
- @VGS = 10V:1.6mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench
---
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**:
NCE40H12K-VB在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊中發(fā)揮重要作用,適用于高效能電源的開(kāi)關(guān)控制,能夠降低轉(zhuǎn)換損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
該MOSFET可用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,支持高電流需求的電機(jī)控制應(yīng)用,適合于電動(dòng)工具、家電和工業(yè)設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)控制,提供出色的啟動(dòng)和運(yùn)行性能。
3. **LED驅(qū)動(dòng)器**:
NCE40H12K-VB適用于LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)模塊,控制LED的電源供應(yīng),實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定的亮度調(diào)節(jié),適合各種照明場(chǎng)景。
4. **電池管理系統(tǒng)**:
在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源應(yīng)用中,該MOSFET可用于電池管理系統(tǒng),確保電池的高效充放電和保護(hù),提升電池的整體性能和壽命。
5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
NCE40H12K-VB廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子設(shè)備的電源管理,作為開(kāi)關(guān)元件控制充電過(guò)程,保障設(shè)備的安全性和效率。
憑借其出色的電氣性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,NCE40H12K-VB已成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的重要組成部分,滿(mǎn)足了高效率和高可靠性的嚴(yán)格要求。
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