--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 20mΩ@VGS=10V
- ID -50A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### NCE5530K-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NCE5530K-VB 是一款高性能單 P 通道 MOSFET,封裝采用 TO252,專為要求高效率和高可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的漏極-源極電壓 (V_DS) 為 -60V,柵極-源極電壓 (V_GS) 為 ±20V,閾值電壓 (V_th) 為 -1.7V。其在 V_GS 為 4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON)) 為 25mΩ,而在 V_GS 為 10V 時(shí)進(jìn)一步降低至 20mΩ,支持高達(dá) -50A 的漏電流。這種 Trench 技術(shù)使 NCE5530K-VB 在實(shí)現(xiàn)低功耗和高開關(guān)效率的同時(shí),具有極佳的熱性能,非常適合各種電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。
---
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: NCE5530K-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 P 通道
- **漏極-源極電壓 (V_DS)**: -60V
- **柵極-源極電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
- 25mΩ(在 V_GS = 4.5V 時(shí))
- 20mΩ(在 V_GS = 10V 時(shí))
- **最大漏電流 (I_D)**: -50A
- **技術(shù)**: Trench
---
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**
NCE5530K-VB 在電源管理系統(tǒng)中可以用作負(fù)載開關(guān),能夠有效控制功率的分配,優(yōu)化整體能效和穩(wěn)定性。
2. **電動(dòng)工具**
此 MOSFET 適用于電動(dòng)工具中的電源切換,能夠承受高電流和高電壓,為工具提供可靠的電源解決方案。
3. **電動(dòng)車輛**
在電動(dòng)車輛的驅(qū)動(dòng)電路中,NCE5530K-VB 可以實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換和管理,支持更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更快的充電速度。
4. **家用電器**
NCE5530K-VB 適合用于家用電器中的電源控制,如洗衣機(jī)、冰箱等,能夠確保高效、穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
5. **LED 照明**
該器件在 LED 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中能夠提供穩(wěn)定的電流和亮度,廣泛應(yīng)用于各類室內(nèi)外照明系統(tǒng)。
NCE5530K-VB 是一款在多種應(yīng)用中都能提供出色性能的 P 通道 MOSFET,確保設(shè)備的可靠性和高效性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛