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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NID9N05CLT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): NID9N05CLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## 一、NID9N05CLT4G-VB 產(chǎn)品簡介  

NID9N05CLT4G-VB 是一款 **單N溝道MOSFET**,采用 **TO252封裝**,專為高效電源管理與開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏-源電壓(V\(_{DS}\))為 **60V**,支持 ±20V 的柵-源電壓(V\(_{GS}\)),適合各種電源環(huán)境。該器件的門檻電壓(V\(_{th}\))為 **1.7V**,確保在較低的電壓驅(qū)動(dòng)下也能有效導(dǎo)通。

NID9N05CLT4G-VB 的導(dǎo)通電阻(R\(_{DS(ON)}\))在不同柵電壓下表現(xiàn)良好,分別為 **85mΩ @ V\(_{GS}\) = 4.5V** 和 **73mΩ @ V\(_{GS}\) = 10V**,支持最大連續(xù)漏極電流 **18A**。通過 **Trench技術(shù)**,該MOSFET 提供優(yōu)異的開關(guān)特性與低導(dǎo)通損耗,廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品的電源管理和負(fù)載控制。

---

## 二、NID9N05CLT4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明  

| **參數(shù)**            | **數(shù)值**                         | **描述**                                      |
|---------------------|----------------------------------|-----------------------------------------------|
| **封裝類型**        | TO252                            | 緊湊型封裝,適合于各種應(yīng)用場景               |
| **配置**            | Single-N-Channel                 | 單N溝道器件,簡化電路設(shè)計(jì)                    |
| **V\(_{DS}\)**      | 60V                              | 最大漏-源電壓,適用于多種電源設(shè)計(jì)           |
| **V\(_{GS}\)**      | ±20V                             | 最大柵-源電壓,提供靈活的控制               |
| **V\(_{th}\)**      | 1.7V                             | 門檻電壓,確保低電壓下有效導(dǎo)通              |
| **R\(_{DS(ON)}\)**  | 85mΩ(@V\(_{GS}\)=4.5V)        | 導(dǎo)通電阻,保證低損耗                         |
|                     | 73mΩ(@V\(_{GS}\)=10V)          |                                               |
| **I\(_D\)**         | 18A                              | 最大連續(xù)漏極電流,滿足較高負(fù)載能力          |
| **工作技術(shù)**        | Trench                           | 溝槽技術(shù),提升開關(guān)性能與能量效率              |
| **工作溫度范圍**    | -55°C ~ +150°C                   | 在各種環(huán)境條件下穩(wěn)定運(yùn)行                     |
| **應(yīng)用特性**        | 高效電源切換與負(fù)載管理           | 減少熱損耗,提高電路效率                     |

---

## 三、NID9N05CLT4G-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域與典型模塊  

1. **電源管理電路**  
  - NID9N05CLT4G-VB 可廣泛應(yīng)用于 **DC-DC轉(zhuǎn)換器** 中,確保高效電源轉(zhuǎn)換與穩(wěn)定輸出。在此類應(yīng)用中,它能夠有效降低電源損耗,提高整體效率。

2. **家用電器**  
  - 該MOSFET 適用于 **家用電器** 的開關(guān)控制,例如冰箱、空調(diào)和洗衣機(jī)等設(shè)備。在負(fù)載變化時(shí),NID9N05CLT4G-VB 的快速開關(guān)能力可以確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電動(dòng)工具**  
  - 在 **電動(dòng)工具** 的電源管理與控制中,該器件能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,以滿足電動(dòng)馬達(dá)的高啟動(dòng)電流需求,確保工具的高效和可靠運(yùn)行。

4. **LED驅(qū)動(dòng)電路**  
  - NID9N05CLT4G-VB 也廣泛應(yīng)用于 **LED照明系統(tǒng)**,作為開關(guān)元件控制LED的亮度和功率,提升電源的效率,延長LED的使用壽命。

5. **工業(yè)控制系統(tǒng)**  
  - 在 **工業(yè)自動(dòng)化和控制** 系統(tǒng)中,該MOSFET 可用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載,提供快速可靠的開關(guān)操作,確保系統(tǒng)在復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

NID9N05CLT4G-VB

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