--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 46mΩ@VGS=10V
- ID -35A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、NP15P06SLG-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NP15P06SLG-VB 是一款高效的 **P 溝道功率 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用設(shè)計(jì)。其 **漏源電壓 (VDS)** 可達(dá) **-60V**,適合在高壓電路中使用。該器件的 **柵源電壓 (VGS)** 范圍為 **±20V**,能夠適應(yīng)多種驅(qū)動(dòng)條件。**開啟閾值電壓 (Vth)** 為 **-1.7V**,確保其在適當(dāng)電壓下可靠導(dǎo)通。NP15P06SLG-VB 的 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 在 **VGS=4.5V 時(shí)為 58mΩ**,而在 **VGS=10V 時(shí)降低至 46mΩ**,顯著減少了功率損耗。最大 **漏極電流 (ID)** 為 **-35A**,為高電流負(fù)載提供了良好的支持。該 MOSFET 采用 **Trench 技術(shù)**,在開關(guān)性能和熱管理方面表現(xiàn)優(yōu)異,適用于廣泛的電源控制和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
---
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)名稱** | **參數(shù)值** | **說(shuō)明** |
|-----------------------|--------------------------|----------------------------------|
| **封裝類型** | TO252 | 緊湊型表面貼裝封裝 |
| **配置** | 單 P 溝道 | 用于負(fù)向?qū)ǖ膯螛O性設(shè)計(jì) |
| **漏源電壓 (VDS)** | -60V | 適合高壓電路應(yīng)用 |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V | 寬廣的驅(qū)動(dòng)電壓范圍 |
| **開啟閾值電壓 (Vth)** | -1.7V | 在 -1.7V 以上電壓下可靠導(dǎo)通 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 58mΩ @ VGS=4.5V | 較低柵壓下的電阻值 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 46mΩ @ VGS=10V | 較高柵壓下的電阻值 |
| **漏極電流 (ID)** | -35A | 支持較大的負(fù)載電流 |
| **工藝技術(shù)** | Trench | 提供低損耗和快速開關(guān)特性 |
---
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**
NP15P06SLG-VB 在 **電源管理系統(tǒng)** 中可以用于電源開關(guān)和電流控制,幫助提高整體系統(tǒng)效率,特別是在開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中。
2. **電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力車輛**
在 **電動(dòng)汽車 (EV)** 和 **混合動(dòng)力車輛 (HEV)** 中,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)對(duì)電池充放電的精準(zhǔn)控制,確保電能的高效利用和安全性。
3. **LED 照明驅(qū)動(dòng)**
NP15P06SLG-VB 在 **LED 照明驅(qū)動(dòng)** 中應(yīng)用廣泛,能夠提供穩(wěn)定的電流,確保 LED 燈具的亮度均勻和長(zhǎng)壽命,特別是在高功率 LED 應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
4. **工業(yè)自動(dòng)化和控制**
在 **工業(yè)自動(dòng)化** 領(lǐng)域,該器件可用于控制電動(dòng)機(jī)和其他負(fù)載,確??煽康拈_關(guān)操作和高效的能量使用,尤其是在需要頻繁開關(guān)的應(yīng)用中。
5. **家電和消費(fèi)電子**
NP15P06SLG-VB 適用于 **家電和消費(fèi)電子** 產(chǎn)品的電源開關(guān),如電源適配器和充電器,有助于實(shí)現(xiàn)小型化和高效能的設(shè)計(jì)。
---
### **總結(jié)**
NP15P06SLG-VB 是一款 **高效的 P 溝道功率 MOSFET**,憑借其 **-60V 的耐壓、-35A 的高電流承載能力以及較低的導(dǎo)通電阻**,在多個(gè)電源管理和控制系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。其 **Trench 技術(shù)** 不僅提升了開關(guān)效率,也確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,廣泛適用于 **電源管理、電動(dòng)汽車、LED 驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制** 等高性能應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛