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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NP55N03SUG-E1-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NP55N03SUG-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NP55N03SUG-E1-AY-VB 產(chǎn)品簡介

NP55N03SUG-E1-AY-VB是一款高效單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓高電流應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為30V,支持高達(dá)80A的漏電流,具備出色的導(dǎo)通電阻,VGS為10V時RDS(ON)僅為5mΩ,提供優(yōu)異的開關(guān)性能和能效。該器件采用Trench技術(shù)制造,確保了優(yōu)異的熱性能和穩(wěn)定性,適合各種電源管理和控制應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:NP55N03SUG-E1-AY-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:6mΩ@VGS=4.5V;5mΩ@VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:80A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **便攜式設(shè)備**:NP55N03SUG-E1-AY-VB適用于移動設(shè)備和便攜式充電器,因其高電流承載能力和低功耗特性,能夠有效延長設(shè)備的使用時間。

2. **電源管理模塊**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)中,此MOSFET可實現(xiàn)高效的電流開關(guān),確保系統(tǒng)在高負(fù)荷下的穩(wěn)定性與效率。

3. **電動交通工具**:該型號適用于電動自行車和電動滑板車的驅(qū)動系統(tǒng),提供強大的動力輸出和高效的電源控制,提升整體性能。

4. **LED驅(qū)動**:NP55N03SUG-E1-AY-VB也常用于LED驅(qū)動電路中,以實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換,確保光源的亮度和穩(wěn)定性。

通過這些示例,可以看出NP55N03SUG-E1-AY-VB在現(xiàn)代電子應(yīng)用中的廣泛適用性,幫助設(shè)計師實現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計。

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