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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NP90N04VDG-E2-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NP90N04VDG-E2-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

NP90N04VDG-E2-AY-VB 是一款高效能單N溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中高電流和高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 40V,柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±20V,適合各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。其閾值電壓 (Vth) 為 2.5V,確保在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定導(dǎo)通。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS = 4.5V 時(shí)為 6mΩ,而在 VGS = 10V 時(shí)為 5mΩ,展現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通性能,適合多種高功率應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:NP90N04VDG-E2-AY-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ(VGS = 4.5V)
 - 5mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏電流 (ID)**:85A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **開關(guān)電源**:
  NP90N04VDG-E2-AY-VB 非常適合用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,減少功率損耗,提高整體效率,廣泛應(yīng)用于電源適配器和充電器。

2. **電動(dòng)驅(qū)動(dòng)**:
  在電動(dòng)汽車和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于電池管理和電動(dòng)機(jī)控制,提供穩(wěn)定的高電流輸出,提升系統(tǒng)的性能和可靠性。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**:
  適用于各種工業(yè)控制和自動(dòng)化設(shè)備,如伺服電機(jī)和機(jī)器人系統(tǒng),能夠支持大電流應(yīng)用,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

4. **消費(fèi)電子**:
  在高性能消費(fèi)電子產(chǎn)品中,NP90N04VDG-E2-AY-VB 可用于充電器、適配器和電池管理系統(tǒng),增強(qiáng)設(shè)備的能效和使用壽命。

通過這些特性和應(yīng)用,NP90N04VDG-E2-AY-VB 是高效能電源管理和驅(qū)動(dòng)解決方案的理想選擇。

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