--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -30V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
- ID -38A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### NTD25P03LT-VB 產(chǎn)品簡介
NTD25P03LT-VB 是一款高性能 P-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為負壓應用設(shè)計。其基于 Trench 技術(shù),提供低導通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能,適合用于各種電源管理和控制應用。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-P-Channel
- **VDS**: -30V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: -1.7V
- **RDS(ON)**: 46mΩ (VGS=4.5V) / 33mΩ (VGS=10V)
- **ID**: -38A
- **技術(shù)**: Trench
### 適用領(lǐng)域和模塊
NTD25P03LT-VB 在電源管理模塊中有廣泛應用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,特別適用于負壓開關(guān)場合。此外,它適合用于汽車電子中的電池管理系統(tǒng)和逆變器控制,也常見于消費電子產(chǎn)品中的電機驅(qū)動和功率放大器。憑借其低導通電阻和高電流承載能力,確保系統(tǒng)的高效能和可靠性。
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