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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTD40N03R-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD40N03R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:NTD40N03R-VB

NTD40N03R-VB是一款高性能的N通道MOSFET,封裝為TO252,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極-源電壓(VDS)為30V,適用于電源管理和驅(qū)動(dòng)電路。閾值電壓(Vth)為1.7V,確保在較低的柵極電壓下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時(shí)為9mΩ,而在VGS為10V時(shí)為7mΩ,能夠支持最大持續(xù)漏極電流(ID)達(dá)到70A,滿足高功率需求。采用Trench技術(shù),該器件具備出色的開關(guān)性能和熱管理能力。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號(hào)**:NTD40N03R-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏極-源電壓 (VDS)**:30V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電源管理**:
  NTD40N03R-VB廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠高效管理電源,適合用于便攜式設(shè)備和電源適配器。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  該MOSFET可用于電動(dòng)機(jī)控制電路,提供高電流支持,適合電動(dòng)工具和自動(dòng)化設(shè)備的驅(qū)動(dòng)需求。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**:
  在LED照明應(yīng)用中,NTD40N03R-VB可作為高效的開關(guān)元件,適用于家居和商業(yè)照明解決方案,確保能效和亮度。

4. **負(fù)載開關(guān)**:
  該MOSFET可作為負(fù)載開關(guān),有效控制電路中的負(fù)載開關(guān)機(jī),適合用于家電和工業(yè)設(shè)備,提升可靠性。

5. **高頻開關(guān)應(yīng)用**:
  由于其優(yōu)良的開關(guān)特性,NTD40N03R-VB適合用于高頻信號(hào)處理電路,廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和RF放大器中。

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