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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTD6416ANLT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD6416ANLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 25A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD6416ANLT4G-VB 產(chǎn)品簡介

NTD6416ANLT4G-VB 是一款高效能的單N通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其較低的導(dǎo)通電阻和穩(wěn)健的電流承載能力使其在電源管理及開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。結(jié)合先進(jìn)的 Trench 技術(shù),NTD6416ANLT4G-VB 提供優(yōu)異的性能,能夠在多種工作條件下保持穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: NTD6416ANLT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 57mΩ @ VGS = 4.5V
 - 55mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 25A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**: NTD6416ANLT4G-VB 在開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,低導(dǎo)通電阻有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率,適合高電壓環(huán)境。

2. **電動(dòng)交通工具**: 在電動(dòng)汽車和電動(dòng)摩托車等應(yīng)用中,該 MOSFET 能處理較高電壓和電流,確保設(shè)備的快速響應(yīng)和高可靠性。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**: NTD6416ANLT4G-VB 適用于自動(dòng)化控制系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備,能有效驅(qū)動(dòng)負(fù)載和進(jìn)行電源管理,提供穩(wěn)定的性能。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 此 MOSFET 在電視、音響系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)電源中廣泛應(yīng)用,能高效管理功率,提升設(shè)備的效率和使用壽命。

5. **LED驅(qū)動(dòng)器**: 在 LED 照明解決方案中,NTD6416ANLT4G-VB 作為高效開關(guān)元件,支持調(diào)光和節(jié)能功能,優(yōu)化整體照明體驗(yàn)。

希望這些信息能幫助您更好地了解 NTD6416ANLT4G-VB 的性能和應(yīng)用!

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