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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTD78N03-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NTD78N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD78N03-VB 產(chǎn)品簡介

NTD78N03-VB 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,封裝為 TO252,采用先進的 Trench 技術(shù)。其最大漏極源極電壓 (VDS) 為 30V,能夠處理高達 100A 的電流,非常適合高負載和高效能應(yīng)用。該器件在較低的柵源電壓(VGS)下依然能保持極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),確保在各種工作條件下的卓越性能。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: NTD78N03-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

NTD78N03-VB MOSFET 廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括:

1. **電源管理**: 在開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 的低 RDS(ON) 特性提高了轉(zhuǎn)換效率,減少了能量損耗,適合高效能電源設(shè)計。

2. **電機控制**: 該器件可以用于直流電機和步進電機的驅(qū)動電路,提供快速響應(yīng)和高電流控制,增強電機的運行性能。

3. **LED 驅(qū)動電路**: 在 LED 照明應(yīng)用中,NTD78N03-VB 能有效控制電流,提高系統(tǒng)的整體效率,延長 LED 的使用壽命。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 用于電池充放電管理,該 MOSFET 可確保電流流動的安全與穩(wěn)定,增強電池性能。

5. **功率放大器**: 在音頻和其他功率應(yīng)用中,NTD78N03-VB 提供強大的驅(qū)動能力,確保音頻信號的高保真?zhèn)鬏敗?/p>

這些應(yīng)用展示了 NTD78N03-VB 在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中的重要性和廣泛適用性。

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