一、核心優(yōu)勢：高效、集成、靈活
1、高效率設計
寬開關頻率范圍：支持自適應頻率調(diào)節(jié)，輕載時降低頻率以減少開關損耗，滿載時優(yōu)化頻率以降低器件溫度，提升全負載范圍效率。
谷底導通技術：內(nèi)置谷底檢測電路，在準諧振（QR）模式下實現(xiàn)軟開關，進一步降低開關損耗。
頻率折返技術：結合固定頻率調(diào)制，減少 EMI 輻射的同時保持高效率。
2、高集成度
內(nèi)置高壓 MOSFET：減少外部元件數(shù)量，降低 BOM 成本，簡化 PCB 設計，提升系統(tǒng)可靠性。
內(nèi)置抖頻電路：無需外部元件即可降低 EMI，簡化濾波設計，節(jié)省空間。
優(yōu)化變壓器設計：結合芯片特性提供變壓器參數(shù)建議，減少漏感與分布電容，提升能效。
3、靈活的工作模式
準諧振（QR）模式：中等負載下實現(xiàn)高效軟開關，適用于手機、平板充電器。
強制開啟與鎖谷底模式：極輕載或空載時強制開啟 MOSFET，配合突發(fā)模式降低待機功耗；鎖谷底模式在特定負載下優(yōu)化效率與噪聲平衡。
突發(fā)模式（Burst Mode）：輕載或空載時工作電流僅 250μA，滿足 CoC V5 和 DoE VI 能效標準。

二、保護功能：全方位安全保障
1、電壓保護
輸出過壓保護（VS_OVP）：快速響應輸出電壓異常，防止損壞設備。
輸出欠壓保護（VS_UVP）：避免低電壓導致的性能下降或數(shù)據(jù)丟失。
VDD 過壓保護（VDD_OVP）：保護芯片供電電路，防止高壓損壞。
Brown-in/Brown-out：防止輸入電壓跌落或恢復時的異常啟動。
2、溫度保護
過溫保護（OTP）：內(nèi)置溫度傳感器，當芯片溫度超過閾值時自動降頻或關斷，防止過熱失效。
可配置 OTP 閾值：用戶可根據(jù)應用場景調(diào)整過溫保護觸發(fā)點。
3、功率保護
過功率保護（OLP）：限制輸出功率，防止過載或短路導致的器件損壞。
精確恒流輸出（CC）：支持輸入電壓補償，適用于電池充電器或 LED 驅(qū)動。

三、定制化配置：滿足多樣化需求
1、頻率與保護閾值可調(diào)
最大頻率（fBNK_MAX）：通過外部電阻或引腳配置，優(yōu)化效率與 EMI 平衡。
輸出過壓/欠壓保護閾值（VVS_OVP/VVS_UVP）：根據(jù)應用需求調(diào)整保護點。
VDD 過壓保護閾值（VVDD_OVP）：保護芯片供電電路安全。
2、模式選擇與補償
工作模式切換：通過引腳配置選擇 QR 模式或強制開啟模式。
輸入電壓補償：支持 CC 模式下的輸入電壓補償，提升恒流精度。

四、應用場景：覆蓋主流快充與電源市場
1、手機、電腦適配器
支持 20W-65W 快充，兼容 PD、QC 等協(xié)議，滿足小體積、高功率密度需求。
突發(fā)模式降低待機功耗，滿足 CoC V5 和 DoE VI 標準。
2、高功率密度快速充電器
結合 GaN 器件，實現(xiàn) 100W 以上多口充電器設計（如 65W+65W 雙 C 口方案）。
高集成度減少 PCB 面積，提升功率密度。
3、高能效反激式輔助電源
適用于服務器、工業(yè)設備等輔助電源，提升系統(tǒng)整體能效。
寬輸入電壓范圍（如 90-264Vac）適應不同地區(qū)電網(wǎng)標準。

五、封裝與能效標準
1、DASOP-8 封裝
小型化設計（如 3mm×3mm），適合高功率密度適配器。
散熱性能優(yōu)化，降低熱阻，提升可靠性。
2、能效標準合規(guī)
滿足 CoC V5 和 DoE VI 等嚴苛標準，加速產(chǎn)品國際化認證。
輕載效率提升 10%+，滿載效率≥92%，待機功耗＜30mW。