--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻道類型 2個P溝道
- 額定電壓 60V
- 額定電流 5.3A
- RDS(ON) 58mΩ @ 10V,70mΩ @ 4.5V
- 門源電壓范圍 ±20V
- 門源閾值電壓范圍 1V~3V
- 封裝類型 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 FDS9958NL 絲印 VBA4658 品牌 VBsemi 參數(shù) 頻道類型 2個P溝道 額定電壓 60V 額定電流 5.3A RDS(ON) 58mΩ @ 10V,70mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓范圍 1V~3V 封裝類型 SOP8應(yīng)用簡介 FDS9958NL(絲印 VBA4658)是VBsemi公司生產(chǎn)的一款雙P溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數(shù)說明和應(yīng)用簡介 詳細參數(shù)說明 FDS9958NL是一款雙P溝道功率MOSFET,具有高電壓和電流承載能力。主要參數(shù)包括額定電壓為60V,額定電流為5.3A,RDS(ON)為58mΩ @ 10V,70mΩ @ 4.5V,門源電壓范圍為±20V,門源閾值電壓范圍為1V~3V,封裝類型為SOP8。應(yīng)用領(lǐng)域 FDS9958NL(VBA4658)適用于多種領(lǐng)域和應(yīng)用場景,主要用于需要雙P溝道功率MOSFET的電路。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 電源管理模塊 FDS9958NL可應(yīng)用于電源管理模塊中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出,改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 高電壓電池系統(tǒng) 它可用于高電壓電池系統(tǒng)中的充放電控制電路,提供高功率和高效能的電能轉(zhuǎn)換和電池管理。3. 電動工具和家用電器 FDS9958NL適用于電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電路,提供高功率和高效能的電力輸出。4. 汽車電子系統(tǒng) FDS9958NL可應(yīng)用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理、電機驅(qū)動和照明控制等方面,滿足汽車電子系統(tǒng)對高電壓和高功率的要求。5. 非隔離型DCDC轉(zhuǎn)換器 FDS9958NL適用于非隔離型DCDC轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)電路,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流控制。綜上所述,F(xiàn)DS9958NL(VBA4658)是一款雙P溝道功率MOSFET,適用于電源管理模塊、高電壓電池系統(tǒng)、電動工具、家用電器、汽車電子系統(tǒng)和非隔離型DCDC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域模塊。它具有高電壓和電流承載能力,適用于需要高功率和高效能的電路。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12