型號 SI2318DST1GE3 絲印 VB1330 品牌 VBsemi 參數(shù) 頻道類型 N溝道 額定電壓 30V 額定電流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V 封裝類型 SOT23應用簡介 SI2318DST1GE3（絲印 VB1330）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數(shù)說明和應用簡介 詳細參數(shù)說明 SI2318DST1GE3是一款N溝道功率MOSFET，適用于高電壓和高電流的應用。其主要參數(shù)包括額定電壓為30V，額定電流為6.5A，RDS(ON)為30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5V，門源電壓范圍為±20V，門源閾值電壓范圍為1.2V~2.2V，封裝類型為SOT23。應用領域 SI2318DST1GE3（VB1330）適用于多種領域和應用場景，主要用于需要N溝道功率MOSFET的電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 SI2318DST1GE3可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉換和穩(wěn)定的電流輸出，改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 電動工具和家用電器 它可應用于電動工具和家用電器中的電機驅動電路，提供高效、可靠的電力輸出。3. 電池管理系統(tǒng) SI2318DST1GE3可用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制電路，提供高效能和可靠的電池管理。4. 工控系統(tǒng)和通信設備 SI2318DST1GE3適用于工控系統(tǒng)和通信設備中的開關電路，提供穩(wěn)定的電源管理和電流控制。綜上所述，SI2318DST1GE3（VB1330）是一款N溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電動工具、家用電器、電池管理系統(tǒng)、工控系統(tǒng)和通信設備等領域模塊。它具有低電阻和高電流承載能力，適用于需要高功率和高效能的電路。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻道類型 N溝道
- 額定電壓 30V
- 額定電流 6.5A
- RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33mΩ @ 4.5
- 門源電壓范圍 ±20V
- 門源閾值電壓范圍 1.2V~2.2V
- 封裝類型 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號：P3004BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號：P3003BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-P-Channel VDS：-30V VGS：20（±V） Vth：-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號：P2NK90Z-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：900V VGS：30（±V） Vth：3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號：P2904BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號：P2804EDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號：P2804BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號：P2703BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：30V VGS：20（±V） Vth：1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號：P2610BD-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號：P2610ADG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：100V VGS：20（±V） Vth：1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號：P2504BDG-VB Package：TO252 溝道：Single-N-Channel VDS：40V VGS：20（±V） Vth：2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N：重塑P溝道功率方案，以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
