型號(hào) FDC3512絲印 VB7101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 3.2A 導(dǎo)通電阻 100mΩ @10V, 127mΩ @4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V) 門(mén)閾電壓 2~4Vth 封裝 SOT236應(yīng)用簡(jiǎn)介 FDC3512是一款N溝道MOSFET，適用于低壓和中等電流的應(yīng)用。其最大耐壓為100V，最大電流為3.2A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個(gè)領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于低壓電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。2. 電流控制模塊 可用于電流調(diào)節(jié)和負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。3. 消費(fèi)電子產(chǎn)品 適用于電池供電設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品等?？傊?，F(xiàn)DC3512適用于低壓和中等電流應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，包括電源管理、電流控制和消費(fèi)電子產(chǎn)品等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類(lèi)型 N溝道
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 3.2A
- 導(dǎo)通電阻 100mΩ @10V, 127mΩ @4.5V
- 門(mén)源電壓 20Vgs (±V)
- 門(mén)閾電壓 2~4Vth
- 封裝 SOT236
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天，為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案，已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代，而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛