型號 RSD050N10TL絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導通電阻 115mΩ @10V, 121mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應用簡介 RSD050N10TL是一款N溝道MOSFET，適用于高壓和大電流的應用。其最大耐壓為100V，最大電流為18A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于高壓電源開關和DCDC變換器等。2. 電機驅動模塊 可用于驅動大功率電機和汽車驅動系統(tǒng)。3. 高壓負載開關模塊 適用于高壓負載開關和電源控制器。總之，RSD050N10TL適用于高壓和大電流應用領域的模塊設計，包括電源管理、電機驅動和高壓負載開關模塊等。
RSD050N10TL-VB-TO252封裝溝道MOSFET
型號：
RSD050N10TL-VB
品牌：
VBsemi(微碧)
