型號 FDT86113LZ絲印 VBJ1101M品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 5A 導通電阻 100mΩ@10V, 120mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 2~4Vth 封裝 SOT223應用簡介 FDT86113LZ是一款N溝道MOSFET，適用于中等電壓和中等電流的應用。其最大耐壓為100V，最大電流為5A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負責電源開關和負載開關控制的電源管理模塊。2. 照明模塊 可用于LED驅(qū)動和照明控制。3. 工業(yè)自動化模塊 適用于工業(yè)自動化領域中的負載開關和電源控制。總之，F(xiàn)DT86113LZ適用于中等電壓和中等電流應用領域的模塊設計，包括電源管理、照明模塊和工業(yè)自動化模塊等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 5A
- 導通電阻 100mΩ@10V, 120mΩ@4.5
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 2~4Vth
- 封裝 SOT223
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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