--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道類型 N溝道
- 額定電壓 100V
- 額定電流 45A
- 導(dǎo)通電阻 18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 3.2V
- 封裝類型 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 PSMN025100D 絲印 VBE1102N 品牌 VBsemi 參數(shù) 溝道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 45A 導(dǎo)通電阻 18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V) 閾值電壓 3.2V 封裝類型 TO252詳細(xì)參數(shù)說明 PSMN025100D是一款N溝道MOS管,適用于最大100V的工作電壓,最大45A的電流承載能力。其導(dǎo)通電阻在10V下為18mΩ。閾值電壓為3.2V,需要在控制電壓大于該閾值時才能實現(xiàn)正常導(dǎo)通。封裝類型為TO252。應(yīng)用簡介 PSMN025100D適用于需要高電壓和高電流承載能力的應(yīng)用領(lǐng)域,如電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動器、逆變器等。其較低的導(dǎo)通電阻和高額定電壓使其能夠在大功率傳輸和高壓應(yīng)用中具備卓越的性能。在電機(jī)驅(qū)動器模塊和逆變器模塊中,PSMN025100D能夠提供可靠的開關(guān)控制和高功率輸出。綜上所述,PSMN025100D適用于需要高電壓和大電流承載能力的應(yīng)用,尤其適用于電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動器和逆變器等領(lǐng)域模塊。它的低導(dǎo)通電阻和高額定電壓為這些模塊提供了可靠性和高性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12