--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最大耐壓 -30V
- 最大漏極電流 -5.6A
- 漏極-源極電阻 47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V
- 最大柵極源極電壓 ±20V
- 閾值電壓 -1V
- 封裝 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 SSC8035GS6-VB
絲印 VB2355
品牌 VBsemi
詳細(xì)參數(shù)說明
P溝道
最大耐壓 -30V
最大漏極電流 -5.6A
漏極-源極電阻 47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V
最大柵極源極電壓 ±20V
閾值電壓 -1V
封裝 SOT23
應(yīng)用簡介
該產(chǎn)品是一款P溝道MOSFET,適用于各種領(lǐng)域的電子設(shè)備模塊。其主要特點(diǎn)是低漏極-源極電阻和高耐壓能力。通過控制柵極電壓,能實(shí)現(xiàn)漏極-源極之間的導(dǎo)通開關(guān)??捎糜诠β史糯?、電流控制和開關(guān)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場景。
該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域模塊
1. 電源模塊 用于電源管理、電壓調(diào)節(jié)、穩(wěn)壓等電源系統(tǒng)的搭建;
2. 電動(dòng)工具模塊 用于電動(dòng)工具的電源開關(guān)、電流控制等;
3. 汽車電子模塊 用于汽車電子系統(tǒng)的開關(guān)驅(qū)動(dòng)、電路保護(hù)等;
4. 通信模塊 用于通信設(shè)備的功率放大、信號開關(guān)等;
5. 工控模塊 用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電流控制和開關(guān)驅(qū)動(dòng)等。
總之,SSC8035GS6-VB是一款適用于多個(gè)領(lǐng)域模塊的P溝道MOSFET,具有低電阻、高耐壓等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源、電動(dòng)工具、汽車電子、通信和工控等領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛