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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AO3460-VB-SOT23封裝N溝道MOSFET

型號: AO3460-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類型 N溝道
  • 額定電壓 60V
  • 最大持續(xù)電流 0.3A
  • 導(dǎo)通電阻 2800mΩ @ 10V
  • 門源電壓范圍 20V(正負(fù))
  • 閾值電壓 1.6V
  • 封裝 SOT23

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號  AO3460-VB
絲印  VB162K
品牌  VBsemi
參數(shù)  
 類型  N溝道
 額定電壓(Vds)  60V
 最大持續(xù)電流(Id)  0.3A
 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))  2800mΩ @ 10V
 門源電壓范圍(Vgs)  20V(正負(fù))
 閾值電壓(Vth)  1.6V
 封裝  SOT23

應(yīng)用簡介  
AO3460-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于需要低功耗和低電流的電子應(yīng)用。它通常用于小功率電路和電子開關(guān)應(yīng)用。

詳細(xì)參數(shù)說明  
1.  類型   這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正向電壓時導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要正向電壓操作的電路中。

2.  額定電壓(Vds)   它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示它可以在相對高電壓條件下工作。

3.  最大持續(xù)電流(Id)   這款MOSFET的最大電流承受能力為0.3A。這使其適用于低功耗和小電流的應(yīng)用。

4.  導(dǎo)通電阻(RDS(ON))   RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為2800mΩ,表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對較高,適用于小功率應(yīng)用。

5.  門源電壓范圍(Vgs)   MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。

6.  閾值電壓(Vth)   這款MOSFET的閾值電壓為1.6V。這是啟動MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。

7.  封裝   這款MOSFET采用SOT23封裝,這是一種小型封裝類型,適用于緊湊的電路設(shè)計(jì)。

應(yīng)用領(lǐng)域  
AO3460-VB這款MOSFET適用于多種需要低功耗和低電流的電子模塊和設(shè)備,包括但不限于以下領(lǐng)域模塊  

1.  小功率電子開關(guān)   常用于小型電子設(shè)備的開關(guān)電路,例如手機(jī)、平板電腦和便攜式電子設(shè)備中的電源管理。

2.  信號開關(guān)   在需要低功耗的信號開關(guān)電路中使用,例如傳感器信號處理和通信設(shè)備。

3.  電池管理   可用于低功耗電池管理電路,以延長電池壽命和提高能效。

4.  模擬電路保護(hù)   在模擬電路中用于過壓和過流保護(hù)。

5.  小型電源轉(zhuǎn)換器   在需要小功率電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中使用,例如低功耗DC-DC轉(zhuǎn)換器。

總之,AO3460-VB適用于需要低功耗和低電流操作的小型電子模塊和設(shè)備,特別是在需要低功耗和小功率的應(yīng)用中。

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