--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 額定電壓 -30V
- 額定電流 -7A
- 門源極電壓 20Vgs(±V)
- 閾值電壓 -1.37Vth(V)
- 封裝類型 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號 FDS4435A-NL-VB
絲印 VBA2317
品牌 VBsemi
參數(shù)
P溝道
額定電壓 -30V
額定電流 -7A
導(dǎo)通電阻
RDS(ON) 23mΩ@10V
RDS(ON) 29mΩ@4.5V
RDS(ON) 66mΩ@2.5V
門源極電壓 20Vgs(±V)
閾值電壓 -1.37Vth(V)
封裝類型 SOP8
詳細(xì)參數(shù)說明
FDS4435A-NL-VB是一款P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),其電氣參數(shù)為額定電壓為-30V,額定電流為-7A。其導(dǎo)通電阻RDS(ON)在不同的電壓下有不同的取值,如在10V時為23mΩ,在4.5V時為29mΩ,在2.5V時為66mΩ。其最大允許的門源極電壓為20Vgs,閾值電壓為-1.37Vth(V)。該器件采用SOP8封裝。
應(yīng)用簡介
FDS4435A-NL-VB常被廣泛應(yīng)用于各種電路模塊中,如電源管理,電池充放電控制,開關(guān)電源等。
產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域
FDS4435A-NL-VB適用于以下領(lǐng)域的模塊
1. 電源管理 可用于電源開關(guān)模塊、直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器、逆變器等。
2. 電池充放電控制 可應(yīng)用于鋰電池充電管理、電池保護、電池充電器等領(lǐng)域的模塊。
3. 開關(guān)電源 可用于開關(guān)電源的開關(guān)組件、逆變器等。
4. 其他領(lǐng)域 該器件還可應(yīng)用于電機驅(qū)動、照明控制等領(lǐng)域的模塊。
總之,F(xiàn)DS4435A-NL-VB是一款P溝道MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻和高性能特性,常被廣泛應(yīng)用于電源管理、電池充放電控制、開關(guān)電源等領(lǐng)域的模塊。"
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12