--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 電壓 -60V
- 電流 -6.5A
- RDS(ON) 58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V 20Vgs(±V
- 封裝 SOT223
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào) STN3PF06-VB
絲印 VBJ2658
品牌 VBsemi
參數(shù)
P溝道
-60V
-6.5A
RDS(ON) 58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V
20Vgs(±V)
-1~-3Vth(V)
封裝 SOT223
詳細(xì)參數(shù)說明
P溝道 表示這是一款P溝道MOSFET,常用于負(fù)載驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等應(yīng)用。
-60V 表示最大耐壓為-60V,即在工作時(shí),電壓不可超過-60V。
-6.5A 表示最大漏極電流為-6.5A,即在工作時(shí),漏極電流不可超過-6.5A。
RDS(ON) 表示導(dǎo)通狀態(tài)下的內(nèi)阻。在10V的電壓下為58mΩ,在4.5V的電壓下為70mΩ。
20Vgs(±V) 表示最大的柵極源極電壓,即在工作時(shí),柵極源極電壓不可超過20V。
-1~-3Vth(V) 表示閾值電壓范圍,在-1V到-3V之間。
應(yīng)用簡(jiǎn)介
這款STN3PF06-VB是一款P溝道MOSFET,適用于負(fù)載驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等應(yīng)用。由于其能夠承受較高的耐壓和漏極電流,因此適合用于需要高功率和高頻率的應(yīng)用。
這些產(chǎn)品適用的領(lǐng)域模塊
這些產(chǎn)品可以廣泛用于各種領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)中,其中包括但不限于以下領(lǐng)域
1. 電源模塊 用于電源開關(guān)和功率控制電路。
2. 電動(dòng)工具 用于電動(dòng)工具的控制電路,例如電動(dòng)鉆、電錘等。
3. 照明 用于LED驅(qū)動(dòng)電路和照明控制。
4. 汽車電子 用于汽車電子模塊,如發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元、照明控制等。
5. 工業(yè)自動(dòng)化 用于各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的控制電路。
6. 通信設(shè)備 用于通信設(shè)備的功率放大和開關(guān)電路。
總之,STN3PF06-VB這款P溝道MOSFET適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì),特別適合需要承受較高耐壓和漏極電流的高功率和高頻率應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛