--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
VBsemi引入了STU417S型號(hào)的MOS管產(chǎn)品,其絲印型號(hào)為VBE2317。這款P溝道MOS管在電子應(yīng)用領(lǐng)域中具有出色性能。它能夠承受最高-30V的電壓和-40A的電流。在10V電壓下,其RDS(ON)為18mΩ,在4.5V電壓下為25mΩ。該產(chǎn)品的門源電壓范圍為±20V,閾值電壓為-1.7V。STU417S采用TO252封裝,便于安裝和使用。

應(yīng)用領(lǐng)域:
STU417S廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,特別適合需要高性能P溝道MOS管的應(yīng)用。以下是一些應(yīng)用領(lǐng)域及相應(yīng)的模塊:
電源管理模塊:STU417S可用于開關(guān)電源、逆變器和電池管理系統(tǒng)等,實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié)。
電動(dòng)汽車控制:在電動(dòng)汽車的電機(jī)控制中,STU417S可用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器,確保電動(dòng)汽車的高效性能。
工業(yè)自動(dòng)化:工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)需要穩(wěn)定的電源和精確的控制,STU417S可以在各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中發(fā)揮作用。
LED照明控制:LED照明系統(tǒng)需要精確的電流和電壓控制,STU417S可用于LED驅(qū)動(dòng)電路,實(shí)現(xiàn)高效的照明控制。
太陽能逆變器:太陽能發(fā)電系統(tǒng)需要將直流能源轉(zhuǎn)換為交流能源,STU417S在太陽能逆變器中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
總之,STU417S高性能P溝道MOS管在電源管理、電動(dòng)汽車控制、工業(yè)自動(dòng)化、LED照明控制和太陽能逆變器等多個(gè)領(lǐng)域都有重要應(yīng)用,適用于需要高性能功率開關(guān)的模塊。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢 -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V立即咨詢 -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V立即咨詢 -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢 -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢 -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢 -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V立即咨詢 -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V立即咨詢 -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V立即咨詢 -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛