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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTGS3136PT1G-VB一款P溝道SOT23-6封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): NTGS3136PT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23-6封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):NTGS3136PT1G-VB
絲?。篤B8338
品牌:VBsemi
參數(shù):
- P溝道
- 最大耐壓:-30V
- 最大漏電流:-4.8A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓(Vth):-1V to -3V
- 封裝:SOT23-6

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
NTGS3136PT1G-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,適用于多種低功率電子應(yīng)用。它具有較低的導(dǎo)通電阻和適度的耐壓特性,適合用于低功耗設(shè)備和控制電路。

領(lǐng)域模塊應(yīng)用:
1. 低功率電源模塊:NTGS3136PT1G-VB可用于低功耗設(shè)備的電源管理,如便攜式電子設(shè)備、傳感器節(jié)點(diǎn)等。
2. 信號(hào)開(kāi)關(guān):適用于開(kāi)關(guān)信號(hào)和控制電路,如信號(hào)開(kāi)關(guān)、多路復(fù)用器等應(yīng)用。
3. 低功耗模塊:在需要較低功耗的模塊中,如待機(jī)模式、電池供電設(shè)備,可起到關(guān)鍵作用。

這些特性使NTGS3136PT1G-VB在低功率電子領(lǐng)域中有廣泛的應(yīng)用。

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