--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 SOT223封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
根據(jù)提供的型號和參數(shù),以下是對該 MOSFET 型號 NDT3055-VB 的詳細參數(shù)和應(yīng)用簡介:
**型號:** NDT3055-VB
**絲?。?* VBJ1695
**品牌:** VBsemi
**參數(shù):**
- 溝道類型:N溝道
- 額定電壓:60V
- 最大電流:4A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 門源電壓閾值 (Vth):1.53V
- 標(biāo)準(zhǔn)門源電壓 (±V):20V
- 封裝:SOT223

**產(chǎn)品應(yīng)用簡介:**
NDT3055-VB 是一款 N 溝道 MOSFET,適用于低至中功率的電子設(shè)備和模塊的功率開關(guān)和放大器應(yīng)用。這款 MOSFET 具有適度的額定電壓承受能力和較低的漏極-源極電阻,適用于多種領(lǐng)域。
**產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源開關(guān):** 該型號的 MOSFET 可用于電源開關(guān)應(yīng)用,以切換電路中的電源連接,如電源管理單元和電源開關(guān)。
2. **電機驅(qū)動:** 適用于低至中功率的電機驅(qū)動電路,例如小型直流電機和步進電機,以提供電機控制和功率放大。
3. **電池保護:** 可用于電池保護電路,以控制電池的充電和放電,確保電池的安全和性能。
4. **小型逆變器和電源逆變器:** 用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源,適用于小型逆變器和電源逆變器,如家庭應(yīng)急電源系統(tǒng)。
5. **信號放大器:** 適用于放大低至中功率信號的應(yīng)用,如音頻放大器和通信設(shè)備中的信號放大器。
總之,NDT3055-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域中都有廣泛的應(yīng)用,用于功率控制、電流開關(guān)和信號放大等用途。由于其性能參數(shù),它在電子模塊和設(shè)備中起到關(guān)鍵作用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12