91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

MMBF170-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOT23封裝的晶體管

型號(hào): MMBF170-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): MMBF170-VB
絲印: VB162K
品牌: VBsemi
參數(shù): N溝道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.6Vth (V)
封裝: SOT23

詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:
1. 溝道類型:N溝道
  - 這表示這是一種N溝道MOSFET,通常用于電子設(shè)備中,特別是需要控制正電壓電源的應(yīng)用。

2. 額定電壓 (VDS):60V
  - 這是溝道MOSFET能夠承受的最大電壓,表示它適用于需要處理高達(dá)60V的電路。

3. 額定電流 (ID):0.3A
  - 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的小電流負(fù)載。

4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
  - RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下,它的電阻為2800mΩ,而在4.5V的情況下為3000mΩ。這表明在導(dǎo)通狀態(tài)下,它的電阻相對(duì)較高,適用于小功率應(yīng)用。

5. 柵源電壓額定值 (Vgs):20V (±V)
  - 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)20V。柵源電壓用來控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。

6. 閾值電壓 (Vth):1.6V
  - 這是溝道MOSFET的閾值電壓,表示需要應(yīng)用在柵極上的電壓,以使器件開始導(dǎo)通。

應(yīng)用簡介:
這種型號(hào)的N溝道MOSFET通常用于小功率應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域和模塊:

1. 信號(hào)開關(guān):由于其較低的電流和電壓能力,它適用于小功率信號(hào)開關(guān)應(yīng)用,例如音頻信號(hào)開關(guān)。
2. 電源開關(guān):在低功率電源管理電路中,它可以用于開關(guān)電源以實(shí)現(xiàn)能效提升。
3. 信號(hào)放大器:它可用于小功率信號(hào)放大器的輸入阻抗匹配。
4. 電流源:在小電流源電路中,它可用于穩(wěn)定輸出電流。

總之,這種型號(hào)的N溝道MOSFET適用于需要小功率開關(guān)和信號(hào)控制的應(yīng)用,但不適用于高功率應(yīng)用,因?yàn)槠潆娏骱碗妷耗芰τ邢蕖?/p>

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    502瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    422瀏覽量