91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

2SJ182S-VB場效應(yīng)管一款P溝道TO252封裝的晶體管

型號: 2SJ182S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: 2SJ182S-VB

絲印: VBE2610N

品牌: VBsemi

參數(shù):

- 封裝: TO252
- 溝道類型: P—Channel
- 額定電壓(V): -60V
- 額定電流(A): -38A
- 開態(tài)電阻(RDS(ON)): 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1.3V

封裝: TO252

重新生成的詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:

2SJ182S-VB是一款P—Channel溝道MOSFET,采用TO252封裝。其主要參數(shù)包括-60V的額定電壓,-38A的額定電流,以及在不同門源電壓下的開態(tài)電阻。

**詳細參數(shù)說明:**

1. **額定電壓(V):** -60V - 這表示器件能夠在-60V的電壓下正常工作。這是一個P—Channel MOSFET,所以其額定電壓為負值。

2. **額定電流(A):** -38A - 這表示器件可以承受的最大電流為-38安培。

3. **開態(tài)電阻(RDS(ON)):** 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 這表示在不同的門源電壓下,器件的導(dǎo)通狀態(tài)時的電阻。在這個例子中,當門源電壓為10V或20V時,開態(tài)電阻為61毫歐姆。

4. **閾值電壓(Vth):** -1.3V - 這是器件的閾值電壓,即MOSFET開始導(dǎo)通的門源電壓。

**應(yīng)用簡介:**

2SJ182S-VB適用于多種領(lǐng)域的電源和開關(guān)電路,具體包括但不限于:

1. **音頻放大器:** 由于其P—Channel溝道特性,適用于音頻放大器電路中。

2. **電源開關(guān):** 用于電源開關(guān)電路,例如直流-直流(DC-DC)變換器。

3. **電池管理:** 可用于便攜設(shè)備和電池供電系統(tǒng),有效控制電流和電壓。

4. **音頻放大器:** 由于其低開態(tài)電阻,適用于需要高電流和低失真的音頻放大器。

總的來說,2SJ182S-VB是一款中功率P—Channel MOSFET,適用于需要中等電流和低開態(tài)電阻的各種電源和開關(guān)電路應(yīng)用,特別在需要較低額定電壓和中功率的場合,如音頻放大器、電源管理、電池管理等領(lǐng)域。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    502瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    422瀏覽量