--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO251封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號: FU9024N-VB
絲印: VBFB2610N
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 封裝: TO251
- 溝道類型: P—Channel
- 額定電壓(V): -60V
- 額定電流(A): -25A
- 開態(tài)電阻(RDS(ON)): 66mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): -1.43V
封裝: TO251
重新生成的詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:
FU9024N-VB是一款P—Channel溝道MOSFET,采用TO251封裝。其主要參數(shù)包括-60V的額定電壓,-25A的額定電流,以及在不同門源電壓下的開態(tài)電阻。
**詳細參數(shù)說明:**
1. **額定電壓(V):** -60V - 這表示器件能夠在-60V的電壓下正常工作。這是一個P—Channel MOSFET,所以其額定電壓為負值。
2. **額定電流(A):** -25A - 這表示器件可以承受的最大電流為-25安培。
3. **開態(tài)電阻(RDS(ON)):** 66mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 這表示在不同的門源電壓下,器件的導(dǎo)通狀態(tài)時的電阻。在這個例子中,當(dāng)門源電壓為10V或20V時,開態(tài)電阻為66毫歐姆。
4. **閾值電壓(Vth):** -1.43V - 這是器件的閾值電壓,即MOSFET開始導(dǎo)通的門源電壓。

**應(yīng)用簡介:**
FU9024N-VB適用于多種領(lǐng)域的電源和開關(guān)電路,具體包括但不限于:
1. **電源開關(guān):** 適用于電源開關(guān)電路,例如直流-直流(DC-DC)變換器。
2. **電機驅(qū)動:** 由于其中等額定電流,可用于小型電機驅(qū)動電路,如風(fēng)扇驅(qū)動、小型電動工具等。
3. **電源模塊:** 適用于設(shè)計小功率電源模塊,提供高效的電源解決方案。
4. **LED驅(qū)動:** 在LED照明系統(tǒng)中,可以用于P—Channel MOSFET的驅(qū)動電路。
總的來說,F(xiàn)U9024N-VB是一款中功率P—Channel MOSFET,適用于需要中等電流和低開態(tài)電阻的各種電源和開關(guān)電路應(yīng)用,特別在需要較低額定電壓和小功率的場合,如電源開關(guān)、電機驅(qū)動、電源模塊和LED驅(qū)動等領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12