--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi FDD8647L-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **絲印:** VBE1405
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
- **封裝:** TO252
- **溝道類型:** N-Channel
- **最大電壓:** 40V
- **最大電流:** 85A
- **導(dǎo)通電阻:** RDS(ON) = 4mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **門源極閾值電壓:** Vth=1.85V

**應(yīng)用簡介:**
FDD8647L-VB廣泛應(yīng)用于各種電子模塊,特別是在以下領(lǐng)域模塊中:
1. **電源模塊:** 用于高電流、高功率的電源開關(guān)和調(diào)節(jié)電路。
2. **電機(jī)驅(qū)動:** 作為電機(jī)驅(qū)動器的一部分,用于控制大功率電機(jī)的速度和方向。
3. **電源逆變器:** 在高功率可再生能源系統(tǒng)中,用于電源逆變器,將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源。
**作用:**
在這些模塊上,F(xiàn)DD8647L-VB發(fā)揮以下作用:
1. **高功率轉(zhuǎn)換:** 適用于高功率應(yīng)用,提供可靠的功率轉(zhuǎn)換。
2. **電流控制:** 通過精準(zhǔn)的電流控制,適用于需要大電流管理的應(yīng)用。
3. **電源穩(wěn)定性:** 在高電壓和高電流環(huán)境下提供穩(wěn)定的電源,確保電子設(shè)備的可靠性和性能。
**使用注意事項:**
- 需要確保工作電壓和電流不超過規(guī)定的最大值。
- 在設(shè)計中考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧?,以確保器件正常工作溫度。
- 遵循廠商提供的數(shù)據(jù)表和規(guī)格書中的指導(dǎo)方針,以確保正確的電路設(shè)計和應(yīng)用。
以上簡介僅供參考,具體應(yīng)用需要根據(jù)實際設(shè)計和使用情況進(jìn)行調(diào)整。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12