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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SMK630D-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: SMK630D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi SMK630D-VB**

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 類型: N溝道場效應(yīng)管 (N-Channel MOSFET)
- 額定電壓(VDS): 200V
- 最大電流(ID): 10A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)): 245mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth): 3.06V
- 封裝: TO252

**應(yīng)用簡介:**
該器件適用于中功率、中電流應(yīng)用,特別是在以下領(lǐng)域模塊中發(fā)揮作用:

1. **電源模塊:**
  - 用于中功率電源模塊,提供高效能源轉(zhuǎn)換。

2. **電機驅(qū)動:**
  - 在電機控制模塊中,用于中功率電機驅(qū)動。

3. **電源逆變器:**
  - 適用于中型逆變器,如電動車逆變器。

**使用領(lǐng)域:**
- 工業(yè)電子
- 電動車逆變器
- 電源管理模塊

**作用:**
- 提供高電流承載能力
- 降低功率損耗
- 在中功率系統(tǒng)中實現(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換

**使用注意事項:**
1. 請按照數(shù)據(jù)手冊中的建議工作條件操作。
2. 注意閾值電壓的特定值,確保在設(shè)計中考慮這一參數(shù)。
3. 確保散熱設(shè)計足夠,以防止過熱。
4. 在設(shè)計中考慮電流和電壓的極限,以避免器件受損。

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