91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

FDB047N10-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應用分析

型號: FDB047N10-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO263封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品型號:** JCS4N80FH-VB

**絲印:** VBMB185R05

**品牌:** VBsemi

**參數(shù):**
- 封裝:TO220F
- 溝道類型:N-Channel
- 額定電壓:850V
- 額定電流:5A
- 導通電阻:RDS(ON)=2200mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=3.5V

**應用簡介:**
適用于不同領域模塊,具體作用包括:
1. **高壓電源:** 在高壓電源模塊中,作為N-Channel功率開關,支持高壓應用。
2. **電源逆變器:** 用于構建電源逆變電路,適用于需要高電壓和低電流的應用。
3. **電力電子:** 在電力電子領域中,可用于各種電力控制和轉(zhuǎn)換應用。

**使用注意事項:**
1. 請確保操作在額定電壓和電流范圍內(nèi),避免超過規(guī)定數(shù)值。
2. TO220F封裝需要考慮適當?shù)纳岷筒季衷O計,以維持正常工作溫度。
3. 在設計中考慮閾值電壓Vth=3.5V,確保適當?shù)男盘栯娖健?br>4. 根據(jù)具體應用場景選擇適當?shù)谋Wo機制,以應對潛在的過電流和過壓情況。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    496瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    419瀏覽量