--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8封裝
- 溝道 N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品型號: HAT3037R-VB
絲印: VBA5638
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型: N+P溝道
- 工作電壓: ±60V
- 最大電流: 6.5/-5A
- 導(dǎo)通電阻: RDS(ON)=28/51mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth=±1.9V
- 封裝: SOP8

應(yīng)用簡介:
HAT3037R-VB是一款N+P溝道結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,適用于正負(fù)電壓和正負(fù)電流的應(yīng)用場景,具有優(yōu)異的性能和可靠性。
舉例說明:
1. 電源逆變器:由于HAT3037R-VB具有±60V的工作電壓和6.5/-5A的最大電流,可用于設(shè)計電源逆變器模塊,如太陽能逆變器、UPS逆變器等,實現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換功能。
2. 電動車充電器:適用于電動車充電器模塊,提供穩(wěn)定可靠的充電電源,滿足電動車充電需求,并具有高效率和快速充電特性。
3. 電動汽車驅(qū)動器:可用于設(shè)計電動汽車驅(qū)動器模塊,實現(xiàn)電動汽車的電機驅(qū)動和控制,提供高性能和可靠性的驅(qū)動方案。
通過以上例子,可以看出HAT3037R-VB適用于電源逆變器、電動車充電器、電動汽車驅(qū)動器等領(lǐng)域,并且可用于設(shè)計對正負(fù)電壓和正負(fù)電流要求較高的模塊。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12