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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NCE4688-VB一款N+P—Channel溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): NCE4688-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8封裝
  • 溝道 N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi NCE4688-VB MOSFET**

**產(chǎn)品特點(diǎn):**
- N+P-Channel溝道MOSFET
- 工作電壓:±60V
- 最大連續(xù)漏極電流:6.5A(N-Channel)、-5A(P-Channel)
- 典型漏極-源極導(dǎo)通電阻:28mΩ(N-Channel,VGS=10V)、51mΩ(P-Channel,VGS=10V)
- 門源極閾值電壓:±1.9V
- 封裝:SOP8

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
VBsemi NCE4688-VB MOSFET是一款具有N+P-Channel溝道的雙溝道MOSFET,適用于雙電壓范圍內(nèi)的應(yīng)用。其工作電壓范圍為±60V,具有N-Channel最大連續(xù)漏極電流為6.5A和P-Channel最大連續(xù)漏極電流為-5A的特性。N-Channel典型漏極-源極導(dǎo)通電阻為28mΩ(在VGS=10V時(shí)),P-Channel為51mΩ(在VGS=10V時(shí))。門源極閾值電壓為±1.9V,適用于各種電路控制應(yīng)用。

**應(yīng)用簡介:**
VBsemi NCE4688-VB MOSFET適用于需要N+P-Channel溝道MOSFET的雙電壓范圍內(nèi)的場合,以下是一些典型應(yīng)用場景:

1. **電源逆變模塊**:在電源逆變模塊中,這款MOSFET可用于負(fù)責(zé)電源逆變、電源開關(guān)和電源保護(hù)等功能。其雙溝道設(shè)計(jì)可以同時(shí)滿足正負(fù)電壓范圍內(nèi)的逆變需求,提高了逆變器的效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)模塊**:在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,VBsemi NCE4688-VB MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、制動(dòng)能量回收和電池管理等任務(wù)。其高電壓承受能力和大電流特性可以滿足電動(dòng)汽車對功率器件的高要求。

3. **工業(yè)控制模塊**:在需要同時(shí)控制正負(fù)電壓的工業(yè)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于控制開關(guān)、電壓調(diào)節(jié)和電流限制等功能。其雙溝道結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能可以提高工業(yè)控制系統(tǒng)的精確性和穩(wěn)定性。

通過以上示例,可以看出,VBsemi NCE4688-VB MOSFET在電源逆變、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,可以為電子設(shè)備的性能提升和功能實(shí)現(xiàn)提供強(qiáng)大支持。

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