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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機(jī)理闡述

單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機(jī)理闡述

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什么是三模冗余容錯(cuò)技術(shù)?

在輻射環(huán)境下的可靠性降低。其中軟故障是主要的故障,它是由粒子和PN結(jié)相互作用引起的一種暫態(tài)故障,軟故障對(duì)在基于SRAMFPGA上實(shí)現(xiàn)的電路具有特別嚴(yán)重的影響。由于三模冗余(Triple
2019-10-12 07:47:42

分享一種基于Actel Flash FPGA的高可靠設(shè)計(jì)方案

本文以星載測(cè)控系統(tǒng)為背景,提出了一種基于 Actel Flash FPGA的高可靠設(shè)計(jì)方案。采用不易發(fā)生粒子翻轉(zhuǎn)的 flash FPGA芯片,結(jié)合 FPGA內(nèi)部的改進(jìn)三模冗余、分區(qū)設(shè)計(jì)和降級(jí)重構(gòu),實(shí)現(xiàn)了高實(shí)時(shí)、高可靠的系統(tǒng)。
2021-05-10 06:58:47

利用糾錯(cuò)編碼的FPGA模塊設(shè)計(jì)

越來(lái)越高。由于宇宙中存在著大量的帶電粒子,星載計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)的電子器件會(huì)受到電磁場(chǎng)的輻射和重粒子的沖擊,其相互作用產(chǎn)生各種效應(yīng),其中粒子反轉(zhuǎn)(SEU)效應(yīng)的影響尤為明顯,它將引起衛(wèi)星工作的異常或故障
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基于SRAMFPGA分類介紹

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如何與FPGA接口SRAM

嗨,任何人都可以建議如何與FPGA接口SRAM,如果我必須采取任何預(yù)防措施,或任何拉上電阻我必須與數(shù)據(jù)和地址引腳連接。請(qǐng)回復(fù)。 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文hi, can anyone
2019-05-20 11:23:29

如何對(duì)ADC、DAC、PLL進(jìn)行粒子翻轉(zhuǎn)容錯(cuò)設(shè)計(jì)

在太空中,高能粒子會(huì)對(duì)器件造成單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)。因此,在太空中使用的ADC、DAC、PLL這些器件,除了在工藝方面做抗輻射處理,能否在軟件上進(jìn)行粒子翻轉(zhuǎn)容錯(cuò)設(shè)計(jì)?如果可以,采取什么辦法?
2019-12-17 11:00:42

怎么提高SRAM工藝FPGA的設(shè)計(jì)安全性?

隨著FPGA的容量、性能以及可靠性的提高及其在消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用,FPGA設(shè)計(jì)的安全性問(wèn)題越來(lái)越引起人們的關(guān)注。相比其他工藝FPGA而言,處于主流地位的SRAM工藝FPGA有一些
2019-08-23 06:45:21

怎么設(shè)計(jì)抗SEU存儲(chǔ)器電路的FPGA?

包括粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)、粒子閂鎖(SEL)和粒子燒毀(SEB)等三種類型,其中以SEU最為常見(jiàn)。在各種輻射效應(yīng)當(dāng)中,存儲(chǔ)器對(duì)SEU最為敏感,所以,對(duì)存儲(chǔ)器的抗輻射設(shè)計(jì)首先要考慮的就是抗SEU設(shè)計(jì)。
2019-08-22 07:09:17

有哪些方法能改進(jìn)TMR技術(shù)?

故障是是由粒子和PN結(jié)相互作用引起的一種暫態(tài)故障,軟故障對(duì)在基于SRAMFPGA上實(shí)現(xiàn)的電路具有特別嚴(yán)重的影響。由于三模冗余(TripleModularRedundancy,TMR)技術(shù)簡(jiǎn)單
2019-08-27 07:28:32

特征工藝尺寸對(duì)CMOS SRAM粒子翻轉(zhuǎn)性能的影響

不同特征尺寸的MOS晶體管,計(jì)算了由這些晶體管組成的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)粒子翻轉(zhuǎn)的臨界電荷Qcrit、LET閾值(LETth),建立了LETth與臨界電荷之間的解析關(guān)系,研究了特征工藝尺寸
2010-04-22 11:50:00

用SOI技術(shù)提高CMOSSRAM的抗粒子翻轉(zhuǎn)能力

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2010-04-22 11:45:13

請(qǐng)問(wèn)STM32H743ZIT6使用GPIO輸出翻轉(zhuǎn)電平如何達(dá)到4Mhz?

由于設(shè)計(jì)原因,所在引腳無(wú)法復(fù)用定時(shí)器PWM功能,只能用定時(shí)器在定時(shí)中斷手動(dòng)翻轉(zhuǎn)引腳電平,但需要輸出4MHz以上的時(shí)鐘信號(hào)給其他芯片使用。聽(tīng)說(shuō)GPIO能翻轉(zhuǎn)50MHz,但實(shí)際1Mhz都不到。這需要如何做呢?
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2024-03-15 06:02:12

請(qǐng)問(wèn)如何對(duì)SRAM工藝的FPGA進(jìn)行加密?

采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法有哪幾種?如何對(duì)SRAM工藝FPGA進(jìn)行有效加密?如何利用單片機(jī)對(duì)SRAM工藝的FPGA進(jìn)行加密?怎么用E2PROM工藝的CPLD實(shí)現(xiàn)FPGA加密?
2021-04-13 06:02:13

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基于FPGA的三模冗余容錯(cuò)技術(shù)的研究

基于SRAMFPGA對(duì)于空間粒子輻射非常敏感,很容易產(chǎn)生軟故障,所以對(duì)基于FPGA的電子系統(tǒng)采取容錯(cuò)措施以防止此類故障的出現(xiàn)非常重要。通過(guò)對(duì)敏感電路使用三模冗余( TMR)方法并利用FPGA 的動(dòng)態(tài)可重構(gòu)特性,可以有效的增強(qiáng)FPGA 的抗粒子性能,解決FPGA對(duì)因空間粒子輻射而形成的軟故障
2017-11-18 11:40:0212550

ARINC659總線的粒子翻轉(zhuǎn)識(shí)別

,對(duì)ARINC659總線標(biāo)準(zhǔn)背板總線組件在空間環(huán)境應(yīng)用下的粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)敏感環(huán)節(jié)進(jìn)行識(shí)別,并提出了有針對(duì)性的抗粒子翻轉(zhuǎn)加固設(shè)計(jì)措施,最后通過(guò)地面模擬試驗(yàn)對(duì)抗粒子翻轉(zhuǎn)加固措施的正確性和有效性進(jìn)行了驗(yàn)證。試驗(yàn)表明進(jìn)行粒子翻轉(zhuǎn)加固設(shè)計(jì)后的ARI
2018-01-29 17:22:110

采用Flash FPGA芯片的高可靠設(shè)計(jì)方案介紹

在復(fù)雜的空間環(huán)境中存在各種高能粒子和宇宙射線,星載系統(tǒng)的電子器件容易發(fā)生粒子翻轉(zhuǎn)等錯(cuò)誤,造成整個(gè)系統(tǒng)的崩潰。對(duì)于星載系統(tǒng)而言,可靠性是非常重要的一項(xiàng)性能指標(biāo)。在系統(tǒng)研制時(shí),必須保證系統(tǒng)在局部出現(xiàn)故障時(shí)屏蔽和容忍錯(cuò)誤,把錯(cuò)誤造成的損失降到昀低。
2019-05-03 09:05:005619

Microsemi PolarFire FPGA相比基于SRAMFPGA 耗電量最高可降低50%

的邏輯元件,相比基于SRAMFPGA來(lái)說(shuō),耗電量最高可降低50%。該器件提供出眾的安全性、粒子翻轉(zhuǎn) (SEU) 免疫結(jié)構(gòu)和串行器/解串器 (SerDes) 性能,適用于通信、國(guó)防、航空、工業(yè)自動(dòng)化和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 等市場(chǎng)的各種應(yīng)用。
2019-01-19 10:34:112274

功率MOS器件粒子柵穿效應(yīng)的PSPICE模擬

 建立了功率MOS器件粒子柵穿效應(yīng)的等效電路模型和相應(yīng)的模型參數(shù)提取方法,對(duì)VDMOS器件的粒子柵穿效應(yīng)的機(jī)理進(jìn)行了模擬和分析,模擬結(jié)果與文獻(xiàn)中的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相符合,表明所建立的器件模型和模擬方法是可靠的.
2019-07-30 16:19:2915

FPGA的存儲(chǔ)解決方案——外掛SRAM

外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM(SRAM)。外部SRAM存儲(chǔ)器也有很多種類。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲(chǔ)器兼具優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn) 外部SRAM
2019-11-18 23:20:226831

一種基于SRAMFPGA的實(shí)時(shí)容錯(cuò)自修復(fù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)概述

α粒子、宇宙射線、外太空強(qiáng)輻射等等惡劣環(huán)境,加之一些電子系統(tǒng)工作在地面的高電磁輻射環(huán)境中,這些輻射環(huán)境中充滿了各種高能粒子,高能粒子撞擊工作中的電子器件會(huì)引發(fā)輻射效應(yīng),如粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)等,并導(dǎo)致器件發(fā)生故障,由輻射效應(yīng)引起的軟錯(cuò)誤是導(dǎo)致空間環(huán)境中電子系統(tǒng)失效的重要原因之一[1]。
2019-11-19 15:17:241429

在芯片設(shè)計(jì)階段如何防護(hù)“粒子翻轉(zhuǎn)

粒子翻轉(zhuǎn)(Single-Event Upsets,SEU)指的是元器件受輻照影響引起電位狀態(tài)的跳變,“0”變成“1”,或者“1”變成“0”,但一般不會(huì)造成器件的物理性損傷。正因?yàn)椤?b class="flag-6" style="color: red">單粒子翻轉(zhuǎn)”頻繁出現(xiàn),因此在芯片設(shè)計(jì)階段需要重點(diǎn)關(guān)注。這也是這篇文章的重點(diǎn)。
2020-11-29 11:07:108377

AD9246S粒子效應(yīng)測(cè)試報(bào)告

AD9246S粒子效應(yīng)測(cè)試報(bào)告
2021-04-15 21:08:564

AD8629S粒子閉鎖測(cè)試輻射報(bào)告

AD8629S粒子閉鎖測(cè)試輻射報(bào)告
2021-04-22 21:11:199

AD8629S粒子瞬態(tài)測(cè)試輻射報(bào)告

AD8629S粒子瞬態(tài)測(cè)試輻射報(bào)告
2021-04-23 08:51:412

ADL5513S粒子瞬態(tài)輻射報(bào)告

ADL5513S粒子瞬態(tài)輻射報(bào)告
2021-04-23 20:44:473

ADA4096-2S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

ADA4096-2S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-04-23 21:26:269

AD8210S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD8210S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-04-24 09:39:471

AD780S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD780S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-04-24 14:10:1510

ADA4077-2S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

ADA4077-2S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-04-24 17:14:239

RT2378-20粒子閉鎖輻射報(bào)告

RT2378-20粒子閉鎖輻射報(bào)告
2021-04-28 18:05:132

ADuM141ES粒子閉鎖輻射報(bào)告

ADuM141ES粒子閉鎖輻射報(bào)告
2021-05-11 10:45:581

AD8229S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD8229S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-13 21:37:254

AD8671S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD8671S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-14 08:10:556

ADL5513S粒子閉鎖輻射報(bào)告

ADL5513S粒子閉鎖輻射報(bào)告
2021-05-14 09:42:301

AD574S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD574S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-14 17:03:093

AD8346S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD8346S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-14 17:53:3610

AD768S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD768S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-14 18:09:0524

ADL5501S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

ADL5501S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-14 18:11:159

AD8306S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD8306S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-17 18:42:392

AD8212S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD8212S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-17 20:39:326

AD8182S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD8182S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-18 11:42:033

AD6645S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD6645S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-19 13:09:493

ADuM7442S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

ADuM7442S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-24 13:20:205

有效容忍粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器

隨著集成電路工藝不斷改進(jìn),電荷共享效應(yīng)誘發(fā)的粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)已經(jīng)成為影響芯片可靠性的重要因素為此提出一種有效容忍粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器:低功耗多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)加固鎖存器( low power
2021-06-03 14:42:3614

主控芯片CPU/FPGA存儲(chǔ)及粒子翻轉(zhuǎn)科普

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能存儲(chǔ)大量二進(jìn)制信息的半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器種類很多,一般按功能來(lái)分,可以分為只讀存儲(chǔ)器(ROM)和隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)。
2022-03-29 14:59:392664

航空電子設(shè)計(jì)之“粒子翻轉(zhuǎn)”問(wèn)題

粒子效應(yīng)是一種瞬態(tài)效應(yīng),指某個(gè)特定的高能粒子穿過(guò)電路敏感區(qū)域所引起的電路故障,這個(gè)故障可能是可恢復(fù)的或是永久性的。
2022-07-13 11:23:055428

粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的FPGA模擬技術(shù) (上)

隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,器件特征尺寸逐漸減少,激發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)(Single Event Upset, SEU)效應(yīng)所需的能量閾值呈幾何級(jí)下降趨勢(shì)。例如,65 nm工藝下器件發(fā)生電平翻轉(zhuǎn)需6500個(gè)電荷,16 nm工藝下器件電平翻轉(zhuǎn)僅需1000個(gè)電荷 。
2023-02-09 10:12:212779

粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的FPGA模擬技術(shù) (下)

**旁路電路注入故障** 旁路電路技術(shù)的實(shí)現(xiàn)原理和掃描鏈技術(shù)類似,在原有的電路結(jié)構(gòu)上添加附加電路來(lái)使電路能夠模擬粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng) ^[25-26]^ 。以寄存器為例,在正常狀態(tài)下寄存器保持其原本的功能,在故障注入模式下通過(guò)外部控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)附加電路從旁路修改寄存器的數(shù)值。
2023-02-09 10:13:252087

SRAMFPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響

SRAMFPGA屬于核心元器件,因此對(duì)SRAMFPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAMFPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:30:453592

SRAMFPGA的抗輻照加固設(shè)計(jì)

讓一顆SRAMFPGA在太空長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的難度,就類似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:086252

FPGA如何抵抗粒子效應(yīng)?

隨著工藝水平的提高,FPGA內(nèi)核電壓逐步降低,器件的輻射總劑量承受能力會(huì)越來(lái)越高,因此對(duì)采用先進(jìn)工藝的高性能FPGA來(lái)講,總劑量效應(yīng)影響會(huì)相對(duì)減小。
2023-10-08 10:29:403244

粒子效應(yīng)置信區(qū)間計(jì)算

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《粒子效應(yīng)置信區(qū)間計(jì)算.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-10 10:31:220

重離子軌道環(huán)境粒子效應(yīng)估算應(yīng)用說(shuō)明

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《重離子軌道環(huán)境粒子效應(yīng)估算應(yīng)用說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-10 10:32:431

皮秒脈沖激光技術(shù)在AS32S601粒子效應(yīng)評(píng)估中的應(yīng)用

可靠性的重要因素之一。為了評(píng)估芯片在輻射環(huán)境中的抗粒子效應(yīng)能力,皮秒脈沖激光技術(shù)作為一種先進(jìn)的模擬手段被廣泛應(yīng)用。本文將以 AS32S601 MCU 的粒子效應(yīng)評(píng)估為例,詳細(xì)介紹皮秒脈沖激光技術(shù)在該領(lǐng)域的應(yīng)用。 一、粒子效應(yīng)概述 粒子效應(yīng)是指高能粒子
2025-04-03 17:05:121086

多款CANFD芯片粒子效應(yīng)對(duì)比分析

系統(tǒng)的芯片,其抗粒子效應(yīng)能力的評(píng)估對(duì)于保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行具有重要意義。本文以SIT1042AQ、TCAN1042HGVD和ASM1042ACANFD芯片為例,基于
2025-04-07 09:27:34666

一文詳解半導(dǎo)體器件中的粒子效應(yīng)

我們知道,帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過(guò)程中,會(huì)與靶材原子發(fā)生交互作用,沿離子運(yùn)動(dòng)軌跡生成電子 - 空穴對(duì),這一物理過(guò)程正是粒子效應(yīng)的誘發(fā)根源。從作用機(jī)理來(lái)看,半導(dǎo)體器件及集成電路中粒子效應(yīng)的產(chǎn)生需經(jīng)歷三個(gè)核心階段,各階段的物理行為存在顯著差異:
2025-09-08 09:48:181145

一文詳解粒子效應(yīng)的電荷收集

在探討粒子翻轉(zhuǎn)基本機(jī)理時(shí),深入理解并掌握各類電荷收集過(guò)程及其作用機(jī)理至關(guān)重要,這些過(guò)程與機(jī)理對(duì)明確粒子效應(yīng)特征、開(kāi)展相關(guān)試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析具有重要參考價(jià)值。針對(duì)上述機(jī)理,已有研究者開(kāi)展了系統(tǒng)性分析,本文將梳理核心結(jié)論,為試驗(yàn)結(jié)果分析提供基礎(chǔ)理論支撐。
2025-09-08 09:50:19932

智多晶SA5Z-50 FPGA器件通過(guò)粒子效應(yīng)測(cè)試

在商業(yè)航天時(shí)代,如何讓衛(wèi)星、火箭等航天器在嚴(yán)酷的太空環(huán)境中穩(wěn)定工作,同時(shí)有效控制成本,是整個(gè)行業(yè)面臨的核心挑戰(zhàn)。近日,智多晶的SA5Z-50 FPGA器件傳來(lái)好消息,其成功通過(guò)了一項(xiàng)關(guān)鍵的“粒子效應(yīng)”測(cè)試,為解決這一挑戰(zhàn)提供了新的選擇。
2025-11-02 16:49:101977

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