恩智浦半導體近日推出54款符合汽車工業(yè)標準并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場上最全的Power-SO8 MOSFET產品組合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有業(yè)界領先的性能和可靠性，與DPAK相比還可節(jié)省超過55%的尺寸面積，從而能大幅降低總成本。
2013-03-08 12:41:54
3472 假定我們設計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結溫為150℃。考慮到結到外殼還存在溫差，那么MOSFET的實際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可靠運行。假定MOSFET的結到外殼的熱阻為3K/W，那么我們如何確定所需的最小散熱器尺寸呢？
2022-05-20 10:06:087843 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:432167 
范圍 (Tstg)：-65°C至+175°C· 焊接時（10s內）的最高引線溫度 (TL)：+260°C· 引線表面處理：霧錫電鍍· 采用標準表面貼裝SMB 封裝應用· 電機控制 機器人、無人機
2020-04-09 09:37:27
就是最大功率限制線，這條線的規(guī)則就是MOSFET功耗產生的溫升加上25C不能超過MOSFET的最大結溫，比如150C。MOSFET的散熱條件對這條限制線影響很大，因此與溫度相關的變量，比如熱阻，Tc
2018-07-12 11:34:11
的導通電阻，這個電阻是MOSFET在最高工作結溫的RDSON。數據表中功率MOSFET的RDSON標注有確定的測試條件，在不同的定義的條件下具有不同的值，測試的溫度為：TJ=25℃，RDSON具有正
2017-11-15 08:14:38
的參數，決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算。6、VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）。當外加柵極控制電壓VGS
2016-05-23 11:40:20
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實現快速開關，同時降低開關損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30產品實物圖RB520CM-30,RB521CM-30的存儲溫度范圍Tstg均為-40~+150℃，結溫Tj最高達到150
2019-04-18 00:16:53
%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產品陣容現狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
的組件。LGA 封裝的低熱阻和高工作效率允許在無氣流的 70oC 環(huán)境或具 200LFM(每分鐘直線英尺) 氣流的 86oC 環(huán)境中實現從 12VIN 到 1VOUT的滿輸出功率 DC/DC 轉換。 專為
2021-04-14 07:09:25
、三組具備有自舉二極管的N通道半橋柵極驅動器。MCU最高工作頻率可達96MHz，并內置SRAM高速存儲器，.
2021-09-01 07:09:17
納芯微一級代理商NS1716 ESOP-8封裝 內置 MOS 管開關降壓型 LED 恒流驅動器
特性
? 寬輸入電壓范圍：8 至 100V
? 高效率：最高可達 93%
? 輸出電流可調范圍
2024-10-09 10:23:07
開關損耗，改善系統的整體能效。因此，采用SuperSO8封裝的器件，是直流/直流轉換器或D類放大器等產品的理想之選。此外，極低的導通電阻（RDS(on)）常常允許減小封裝的尺寸。TO-247封裝替換
2018-12-07 10:21:41
P5020 絕對最高工作溫度
2023-04-20 06:46:16
°c
最高結溫Tj ：175°c
在結溫為 125℃、正向電流為 10A 時，最大正向壓降V F(max)為：0.72V。
特點：具有低功耗、高效率、良好的高溫特性等特點，采用共陰結構，有過壓保護環(huán)
2025-08-20 14:53:50
SuperSO-8等名稱銷售PQFN器件?！ QFN封裝在底側有一個或以上的裸熱焊盤，如圖1所示。裸焊盤有助于降低裸片到PCB的熱阻。標準SO-8封裝的結到引線熱阻通常為20°C/W，而采用IR的PQFN 5×6
2018-09-12 15:14:20
，使LED燈亮度達到預期恒定亮度。在EN端加PWM信號，還可以進行LED燈調光。QX5305A采用ESOP8封裝。二、產品特點?寬輸入電壓范圍：3.6V~60V?高效率：可高達95%?最高工作頻率
2020-03-05 11:15:54
制作電源原型和生產”中SOIC-8封裝焊接演示。此外，LMR236xx產品系列上的SOIC-8底部有一個芯片貼裝引腳（DAP）幫助提取熱量。這樣可以獲得更低的結點至環(huán)境熱阻（THETA J/A），比許多
2019-07-18 04:45:01
我做的是一個20W的反激電源。片子的供電電壓16V，PWM輸出頻率150KHz?？緳C后發(fā)現片子溫升有55度。后來把MOS管去掉，PWM腳接個10k的電阻，溫升也有40度，測得工作電流20mA。不知道是我的電路參數有問題，還是SOIC-8封裝的UC2845本身就有這么大的功耗？
2019-07-05 14:15:28
STTH8R06/FFP08H60S快恢復二極管，電流8A，電壓600V，TO-220封裝?？焖匍_關，低反向恢復電流，低熱阻，低開關損耗。適用于開關電源及功率因數校正裝置等應用?！ 】旎謴投O管
2020-09-24 16:03:22
。 04 結 論 引入了輔助源極管腳成為TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET，避免了驅動回路和功率回路共用源極線路，實現了這兩個回路的解耦。同時，TO-247-4封裝的開關器件由于沒有來自功率源極造成
2023-02-27 16:14:19
ad8346汽車級最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
環(huán)境溫度是65℃，那么MOSFET的結溫是多就可以計算出來了，Tj=Ta+P×Rja=65℃+1.2×62℃/W=139.4℃反過來結溫是不能超150℃，如果最大環(huán)境溫度是65℃，沒有加散熱器的情況，Rja
2021-09-08 08:42:59
某種 PWB 結構下結點至周圍環(huán)境的熱阻。這就是說，設計人員只需將這種熱阻乘以功耗，便可計算出溫升情況。但是，如果設計并沒有具體的結構，或者如果需要進一步降低熱阻，那么就會出現許多問題。圖 2 所示為
2017-05-18 16:56:10
和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環(huán)境之間的熱阻，以及最大的結
2019-09-04 07:00:00
二極管有最高工作頻率，但數據手冊上為什么都不給出最高工作頻率呢？請問從哪可以間接看出來嗎。
2019-04-25 11:17:13
與管殼到環(huán)境的熱阻Rth(c-a)之間的重要關系。得到Rth(c-a)后，可以根據功耗計算出溫度增量ΔTc。隨后，再由圖8中相應的轉換因子就能計算出結溫。假設在TO247封裝中，給定的功耗為PD = 50
2018-12-05 09:45:16
實現小外形尺寸的設計。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱功率封裝是MOSFET封裝技術上的重大進步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡化設計，同時實現現在的消費電子產品所要求的高效率或性能。本新聞來自大聯大云端`
2013-12-23 11:55:35
MOSFET是否安全工作，這種方法并不正確，特別是在TC=25℃的SOA曲線中進行這樣的校核完全沒有意義。當功率MOSFET工作在高頻的開關狀態(tài)時，計算功率MOSFET的總體損耗，由熱阻來校核結溫，更有意義
2016-10-31 13:39:12
給定應用的第二步。例如，電子元件在汽車應用中比在計算機應用中經受更寬的溫度范圍。因此，汽車應用要求的標準的最高工作溫度是175 °C。本頁所示的功率MOSFET示例不會選用于汽車應用。所有
2018-10-18 09:13:03
有些功率MOSFET的數據表中列出了重復雪崩電流IAR和重復雪崩能量EAR，同時標注了測量條件，通常有起始溫度25C，最高結溫150C或者175C，以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率，這些測量的條件
2017-09-22 11:44:39
阻，這個電阻是MOSFET在最高工作結溫的RDSON。數據表中功率MOSFET的RDSON標注有確定的測試條件，在不同的定義的條件下具有不同的值，測試的溫度為：TJ=25℃，RDSON具有正溫度系數
2019-04-04 06:30:00
！ 0603側發(fā)光藍光貼片LED燈珠產品參數： 型號 ：0603側發(fā)光藍光熱阻： ≤5（°/W） 功率 ：0.06（W）最大允許結溫： 260（°） 顯色指數 ：70-80封裝形式 ：貼片型
2019-04-26 16:22:16
請問一下，在使用中，如果環(huán)境溫度超過了電路中壓敏電阻的最高工作溫度，會有什么影響呢？
2013-09-23 13:27:38
請問怎么確定可控硅的結溫？？？超過結溫時會有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
現在使用一款不帶PowerPAD的SOIC8封裝的單運放LM6171，算出結溫130℃左右，只有20℃的余量。不知PCB大面積鋪銅是否可降低熱阻。鋪銅應該連接到哪個引腳才能最大的降低熱阻？參考OPA2211的PowerPAD連接到了V-，是否應該連接到V-？謝謝。
2024-08-12 06:15:56
MOSFET被并聯使用，其整體熱阻的計算方法，和計算兩個以上并聯電阻的等效電阻一樣?！ ∥覀兛梢詮?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的ΘJA規(guī)格開始。對于單一管芯、8引腳封裝的MOSFET來講，ΘJA通常接近于62°C/W。其他類型
2021-01-11 16:14:25
大家好， 我對M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結溫感興趣。 3級器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C，因此結溫必須更高。數據手冊中沒有提到最大結溫。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結至環(huán)境熱阻。 最好的祝福， 托馬斯
2019-08-13 11:08:08
用的電路板可以更加小型化，而且線路安裝設計也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開發(fā)的低導通電阻芯片，在使封裝小型化的同時實現了與現有SOP8 Dual產品同樣低的導通電阻。ROHM將要逐步大量生產封裝
2018-08-24 16:56:26
，工作結溫可達175℃，與傳統硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產品開發(fā)周期，提高工作效率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">產品特點 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
MOSFET通過降低開關損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術可以實現更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度?！ ±硐腴_關 在典型的同步降壓開關電源轉換器中,MOSFET作為開關使用時
2012-12-06 14:32:55
最大的連續(xù)漏極電流ID的計算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結溫TJ下，功率MOSFET的導通電阻；通常，硅片允許的最大工作結溫為150℃。熱阻RqJC的測量可以參見文章：功率
2016-08-15 14:31:59
作為開關模式電源的核心器件，MOSFET在對電源的優(yōu)化中承擔著十分重要的角色。采用最先進的半導體技術對提高工作效率固然必不可少，但封裝技術本身對提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現代功率轉換
2018-12-07 10:23:12
SMA產品使用：電流容量大，GPP玻璃鈍化涵蓋1A-2A,Schottky肖特基涵蓋1-5A 4：采用框架焊接式工藝 提供了高可靠性和電流容量大等特性，5：低熱阻低結溫高抗浪涌設計，引線平貼器件底部
2015-11-14 11:11:26
(c-a)后，可以根據功耗計算出溫度增量ΔTc。隨后，再由圖8中相應的轉換因子就能計算出結溫。 圖8 TO220、TO220Fullpack和TO247封裝的轉換因子與絕緣層熱阻之間關系3.3計算舉例
2018-12-03 13:46:13
溫度（Ｔｃ 2）之間的熱阻θｃａ封裝外殼溫度（Ｔｃ）和周圍溫度（Ｔａ）之間的熱阻Ｔｊ結溫Ｔａ周圍溫度Ｔｃ 1封裝外殼表面（型號面）溫度Ｔｃ 2封裝外殼背面溫度Ｐd最大容許功率結溫(Tj)的驗證方法
2019-09-20 09:05:08
上一個輸錯了型號，AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結溫
2023-12-05 06:37:12
如題，本人在學習華成英老師的模電時候，看到ppt上的一句話不太理解，為什么點接觸型PN結可以從結電容小，允許的電流小，就會導致最高工作頻率高？ 電容電流跟最高工作頻率有什么關系呢？請各位同行和前輩們指點一下唄。
2020-04-12 17:33:56
性和低噪聲特征，超級結MOSFET有一些變化。從下篇開始，將介紹每種變化的特征。關鍵要點:?Si-MOSFET的產品定位是“以低～中功率高速工作”。?超級結結構可保持耐壓的同時，降低導通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
銳駿半導體本周正式發(fā)布兩款全新超低導 通電阻MOSFET產品，型號分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產品均采用DFN5060封裝，憑借先進
2024-10-14 09:40:16
，LED 結溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預期壽命顯著縮短。本文介紹了如何計算結溫，并說明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法，如芯片級和板載 (COB) 設計，并介紹
2017-04-10 14:03:41
LED燈具的工作結溫是產品性能的重要指標，工作結溫直接影響到LED燈具的使用壽命，但目前罔內在這方面標準的制玎則相對落后衛(wèi)章介紹7亞明LED實驗室采用的撿剎方擊廈
2010-08-25 08:52:05
56 采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8～30V的P通道功率MOSFET
這些p 通道功率 MOSFET 系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個器件。日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用
2008-08-23 15:08:371627 計算延時線的最高工作頻率
摘要：延遲線在應用中要求一個（納秒），或者增量時間更正為系統正常工作所需的幾納秒信號延遲。 This application note
2009-10-23 18:30:423552 Diodes發(fā)布采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的產品
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的雙極型晶體三極管產品。新產品采用Diodes的第五
2010-03-25 11:32:02899 Diodes發(fā)布采用微型PowerDI5表面貼裝封裝的產品
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的雙極型晶體三極管產品。新產品采用Diodes的第五代
2010-03-25 12:07:251309 LED應用于照明除了節(jié)能外,長壽命也是其十分重要的優(yōu)勢。目前由于LED 熱性能原因,LED 及其燈具不能達 到理想的使用壽命;LED 在工作狀態(tài)時的結溫直接關系到其壽命和光效;熱阻則直接
2010-07-29 11:04:395691 
Diodes公司推出采用緊湊PowerDI5封裝的額定12A和15A器件，擴展了其專利的超勢壘整流器(SBR)系列。新器件可用作空間有限的開關模電源設計的輸出整流器
2011-03-23 09:23:233178 任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗變成熱量。小功率器件損耗小，無需散熱裝置。而大功率器件損耗大，若不采取散熱措施，則管芯的溫 度可達到或超過允許的結溫，器
2011-11-14 18:07:399006 本標準規(guī)定了半導體集成電路封裝結到外殼熱阻測試方法 本標準適用于半導體集成電路陶瓷、金屬、塑料封裝結到外殼熱阻的測量
2011-11-22 17:39:0470 光電耦合器都是采用DIP-8封裝嗎？業(yè)界經常提到DIP-8封裝，請問這種封裝方式有何優(yōu)點？
2012-07-11 10:53:211440 電子發(fā)燒友網站提供《LED結溫預算軟件_測試貼片熱阻小軟件.exe》資料免費下載
2013-03-06 16:58:037 IGBT模塊用低熱阻陶瓷覆銅板的制作研究
2017-02-28 23:12:573 本文介紹了如何計算結溫，并說明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法，如芯片級和板載 （COB） 設計，并介紹了影響散熱器性能的因素。
2017-05-08 09:57:478 本文介紹了如何計算結溫，并說明熱阻的重要性。文中探討了較低熱阻LED封裝替代方法，如芯片級和板載（COB）設計，并介紹了影響散熱器性能的因素。
2017-09-18 19:32:4611 Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業(yè)，今日宣布推出了高溫SCR（硅控整流器）晶閘管——同類首款結溫高達150°C，采用緊湊型表面安裝式D-PAK （TO-252）封裝
2017-10-26 10:04:539793 通過對不同驅動電流下各種顏色LED 結溫和熱阻測量， 發(fā)現各種顏色LED 的熱阻值均隨驅動電流的增加而變大， 其中基于InGaN 材料的藍光和白光LED 工作在小于額定電流下時， 熱阻上升迅速
2017-11-13 15:08:394 關于PN結溫度的測量，以往在半導體器件應用端測算結溫的大多是采用熱阻法，但這種方法對LED 器件是有局限性的，并且以往很多情況下被錯誤地應用。
2018-06-05 10:36:2213926 
DC/DC 控制器產生正或負的穩(wěn)定電壓而最高結溫為 -55°C 至 150°C
2021-03-18 20:13:485 反激式控制器在 -55oC 至 150oC 的結溫范圍內工作
2021-03-19 06:22:400 36V、3.5A、2.4MHz 降壓型 DC/DC 轉換器僅需 75uA 靜態(tài)電流并可在 150oC 的最高結溫條件下工作
2021-03-19 08:02:384 適用于升壓、降壓或降壓-升壓型大電流 LED 應用的45V、1.5A LED 驅動器提供 150°C 最高結溫
2021-03-19 08:41:436 相位調制的全橋式控制器可在 -40°C 至 150°C 結溫范圍內工作
2021-03-19 08:57:141 LTC1772H - 采用 ThinSOT 封裝的 550kHz、電流模式降壓型 DC/DC 控制器能提供 140oC 最高結溫
2021-03-20 16:11:073 結溫高達 140oC 仍保證工作的多相 DC/DC 控制器
2021-03-20 16:23:235 大功率 Polyphase? 同步升壓型控制器具 -55°C 至 150°C 的工作結溫范圍
2021-03-21 14:25:220 可得到等式3：
?
LED正向電壓和熱阻都是LED封裝的特性。顯然，在不同的環(huán)境溫度下，LED電流是唯一的控制參數，其可驗證LED結溫是否符合最大規(guī)格。
為了改變通過LED的電流，您需要將環(huán)境溫度測量
2021-12-23 17:28:442990 
拿一款MiniSKiiP系列的 35NAB12T4V1的CIB模塊來舉例。模塊內部包含了三相不可控整流橋，制動單元和兩電平三相逆變橋，每個IGBT包括Brake IGBT電壓是1200V，電流是50A，最高結溫175°C，運行結溫150°C。
2022-06-07 10:56:268478 系列產品，其貼裝面積減半（與京瓷已有產品相比），低熱阻化實現大電流，可減少元器件的數量，有助于所搭載的電子裝置小型化。 特點 小型大電流的實現： 用小型封裝搭載10A級別 低熱阻化： 通過背部設計的框架實現高散熱 減少元器件數量： 小型大電流和低熱阻化使減
2022-08-19 09:14:281575 重復 UIS/短路條件下的 MOSFET 瞬態(tài)結溫
2022-11-14 21:08:061 英飛凌IGBT模塊開關狀態(tài)下最高工作結溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。
2023-02-06 14:30:242044 
半導體的可靠性由結溫決定，結溫又取決于幾個因素，包括器件功耗、封裝熱阻、印刷電路板（PCB）布局、散熱器接口和環(huán)境工作溫度。
2023-02-23 14:18:345905 
場效應晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數受溫度的影響機理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉移特性等參量， 以便找到能夠表征結 溫特性
2023-04-15 10:03:067735 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:523619 
上百度搜索答案了？我在百度百科以及維基百科搜索出結溫的解釋大概是這樣的：晶體管結溫，簡稱結溫，是指半導體芯片內的最高工作溫度，通常芯片的結溫會比芯片的外殼高。。。原
2022-05-24 15:05:136571 
通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設計工程師理想的選擇，可實現簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:451311 電子發(fā)燒友網站提供《AN1165-LFPAK56/PowerDI5060兼容封裝.pdf》資料免費下載
2023-07-24 15:19:470 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專用 MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:101794 為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:461903 新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產品線現擴充ThinTOLL8x8封裝
2025-07-08 17:08:311021 ，提高了產品的可靠性。 產品特點 1、采用先進工藝技術, 內阻低，開關特性優(yōu)； 2、采用PDFN5060、TO-252、SOP8等封裝，適用于車載大功率應用； 3、工作結溫 Tj(max) = 175
2025-08-13 17:57:012747 
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，適用于主驅逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產品。
2026-01-04 15:10:42186 
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