IR推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 （RDS（on）） 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。

新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實(shí)現(xiàn)非常低的RDS（on） ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護(hù)頻帶，并可減少由多個(gè)MOSFET共享高電流的并行拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的元件數(shù)目。與典型封裝額定值相比，由于封裝電流額定值高達(dá)195A，TO-220、D2PAK和TO-262封裝的改善超過了60%；與標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝相比，7引腳D2PAK進(jìn)一步降低了多達(dá)16%的RDS（on） ，功能更為完善。
責(zé)編AJX

新型邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓范圍為40V至100V。該系列已獲得工業(yè)級和MSL1潮濕敏感度認(rèn)證，更具備所有標(biāo)準(zhǔn)功率封裝，包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS） 。