資料介紹
隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步,超大規(guī)模集成電路(VLSI)的特征尺寸已經(jīng)步入納米范圍。納米級(jí)工藝存在著很多不同于以往微米、亞微米工藝的特點(diǎn),因此為制造和設(shè)計(jì)都帶來了很多難題,諸如光刻、漏電功耗、可制造性設(shè)計(jì)、芯片在片參數(shù)波動(dòng)等,為了保證設(shè)計(jì)的進(jìn)度和質(zhì)量,就必須針對(duì)這些特點(diǎn)進(jìn)行深入分析,并建立全新的分析設(shè)計(jì)方法和手段。

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