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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>SiC MOSFET的工作：挑戰(zhàn)和設(shè)計(jì)建議

      SiC MOSFET的工作：挑戰(zhàn)和設(shè)計(jì)建議

      2017-10-10 | rar | 0.09 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　SiC MOSFET的工作：挑戰(zhàn)和設(shè)計(jì)建議

      　　對于大功率應(yīng)用，如電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車或家用電器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密度和更低的通態(tài)電阻。然而，SiC MOSFET都有他們自己的擔(dān)憂的問題，包括耐用性、可靠性，在高頻響，及故障處理。

      　　對于設(shè)計(jì)者來說，成功應(yīng)用碳化硅MOSFET的關(guān)鍵是要深入了解碳化硅MOSFET獨(dú)特的操作特性及其對設(shè)計(jì)的影響。本文將提供洞察力，以及實(shí)施建議和解決實(shí)例。

      　　SiC MOSFET的工作：挑戰(zhàn)和設(shè)計(jì)建議

      　　Why SiC MOSFETs

      　　To appreciate the capabilities of SiC MOSFETs it’s useful to compare them to their Si counterparts. SiC devices can block 10x more voltage than silicon， have a higher current density， can transition between the on and off states 10x faster， and have lower on-state resistance. For example， a 900 volt SiC MOSFET can provide the same on-state resistance as Si MOSFETs in a chip size 35x smaller （Figure 1）.

      電阻 電流 MOSFET
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