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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI2308BDS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號： SI2308BDS-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

SI2308BDS-T1-GE3-VB.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SI2308BDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產(chǎn)品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V，額定電流為4A，RDS(ON)參數(shù)為85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(±V)的電壓限制和1~3Vth的閾值電壓范圍。

SI2308BDS-T1-GE3適用于多個應(yīng)用領(lǐng)域。在電源管理、功率轉(zhuǎn)換、驅(qū)動電路和開關(guān)電路等領(lǐng)域中，它可以實(shí)現(xiàn)電流控制和功率轉(zhuǎn)換。此外，在汽車電子、消費(fèi)電子和通信設(shè)備等領(lǐng)域，它也有潛在的應(yīng)用。

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