CN0377 使用RF MEMS開關(guān)實現(xiàn)的DC至2.5 GHz可切換RF衰減器
2021-05-29 |
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資料介紹
CN0377 本電路可以使用不同值的衰減器。作為一般規(guī)則,可以使用的最大衰減器值受背靠背開關(guān)的關(guān)斷隔離性能的限制。本電路的另一種變化是背靠背開關(guān)之間不使用RF衰減器,而是使用RF濾波器。濾波器組切換是一種常見應(yīng)用,ADGM1304具有低插入損耗、直流工作、高線性度性能和小尺寸的特性,因而也有益于這種應(yīng)用。 圖2是電路評估板的實物特寫照片。開關(guān)標(biāo)示為黑色。ADGM1304開關(guān)具有SP4T配置;因此,背靠背布置可以實現(xiàn)四個單獨可選的路徑。圖2中的白色元件是表貼安裝衰減器,由EMC Technology制造。6 dB和9 dB衰減器(分別為TS0606F和TS0609F)具有DC至10 GHz的最佳性能頻率范圍,峰值功率處理水平為2 W (33 dBm)。 ADGM1304 MEMS開關(guān)具有高達(dá)14 GHz的3 dB帶寬和36 dBm(連續(xù)波)的功率處理水平,因此非常適合與這些衰減器一起使用。
圖2.EVAL-CN0377-EB1Z電路板
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RF邊緣安裝型SMA連接器由Rosenberger制造(32K243-40ML5),頻率范圍為DC至18 GHz。所用PCB材料疊層如圖3所示,與EVAL-ADGM1304EBZ評估板相同。
圖3.帶共面波導(dǎo)的PCB疊層和接地(CPWG)尺寸
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圖4顯示了PCB的完整原理圖。標(biāo)有CH1至CH4的鏈路即為可選擇的四個路徑(兩個直通路徑和兩個衰減器路徑)中的每個路徑。所有這些路徑都是獨立可控的,根據(jù)需要,它們可以全開、全關(guān)或部分開部分關(guān)。
圖4.EVAL-CN0377-EB1Z PCB完整原理圖
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圖4中的原理圖也顯示了校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。它們由兩條傳輸線組成,每條傳輸線的長度與衰減器網(wǎng)絡(luò)從輸入到輸出的距離相同。其中一條傳輸線含有一個6 dB衰減器。這些線路的功能是將可切換衰減器網(wǎng)絡(luò)性能與不存在開關(guān)的理想情況進(jìn)行比較。圖5是這些校準(zhǔn)傳輸線的實物照片。左側(cè)線路包含6 dB衰減器,如線路中心的白色矩形所示。
圖5.校準(zhǔn)傳輸線
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圖6顯示了所有路徑組合(包括比較校準(zhǔn)線路頻率性能)的測試結(jié)果。
圖6.頻率響應(yīng)結(jié)果
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頂部藍(lán)色虛線所示的插入損耗曲線對應(yīng)于校準(zhǔn)直通線,這是不存在開關(guān)的理想情況。綠色虛線所示的插入損耗曲線對應(yīng)于直通線配置中加入兩個ADGM1304 器件。 在2.5 GHz時,插入損耗僅增加約0.3 dB。
藍(lán)色實線對應(yīng)于含有6 dB衰減器的校準(zhǔn)線。相應(yīng)的開關(guān)和衰減器網(wǎng)絡(luò)對應(yīng)于綠色實線。插入損耗曲線參考右側(cè)dB軸。同樣,兩個開關(guān)增加的損耗很小且是單調(diào)的。
9 dB開關(guān)衰減器網(wǎng)絡(luò)以紅色顯示。當(dāng)使用衰減值更高的衰減器時,開關(guān)的損耗變得不那么明顯,原因是其幅度與衰減器值相比非常小。
電路板在2.5 GHz以上的頻率完全可以正常工作,但由于開關(guān)是反射式開關(guān)且未端接,因此斷開通道在較高頻率下會引起插入損耗的諧振。 電路板設(shè)計為通過SMA兼容連接器連接到矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)。電路上的SMA連接器是插口式。電路板上有四個標(biāo)記為CH1至CH4的鏈路,要在每個衰減器和直通通道之間切換,可以手動改變這些鏈路以驅(qū)動開關(guān)的并行邏輯輸入從而切換通道。此外,使用板上的SMB連接器輸入的數(shù)字信號也可以控制開關(guān)。
設(shè)備要求
矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA),帶85033D 3.5 mm校準(zhǔn)套件的Keysight 8753E,或等效設(shè)備
EVAL-CN0377-EB1Z評估板
電源(3.3 V)
帶3.5 mm型連接器的同軸RF電纜
設(shè)置與測試
測試設(shè)置如圖7所示。VNA只能通過3.5 mm連接器兼容電纜連接到電路評估板。開始測試電路評估板之前,需要對VNA到電纜末端進(jìn)行全面的兩端口s參數(shù)誤差校正校準(zhǔn)。關(guān)于如何執(zhí)行此誤差校正校準(zhǔn),請參考VNA制造商指南。
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圖7.EVAL-CN0377-EB1Z測試設(shè)置功能框圖
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電路評估板由3.3 V電源供電,表1列出了使能每個衰減器和直通路徑時評估板上所有鏈路的邏輯狀態(tài)。
衰減器/直通路徑
鏈路
CH1
CH2
CH3
CH4
6 dB (TS01)
0
0
1
0
9 dB (TS02)
1
0
0
0
直通1 (TS01)
0
0
0
1
直通2 (TS02)
0
1
0
0
CN0377 使用RF MEMS開關(guān)實現(xiàn)的DC至2.5 GHz可切換RF衰減器 圖1所示的電路使用RF MEMS開關(guān)在兩臺表貼RF衰減器和兩條直通路徑之間路由RF信號。
圖1. 射頻開關(guān)衰減器的簡化電路圖
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衰減RF信號通常在RF測試儀器儀表和接收器前端完成,以保護(hù)下游電路并擴(kuò)大動態(tài)范圍。使用分立式衰減器和開關(guān)可最大程度提升設(shè)計靈活性,增加路由選項。在圖1電路圖中,兩個ADGM1304單刀四擲(SP4T) RF MEMS開關(guān)按背靠背方式配置,在輸入和輸出端之間產(chǎn)生了四條獨立可切換路徑。前兩條路徑是直通傳輸線,第三條包含一個6 dB衰減器,第四條包含一個9 dB衰減器。實現(xiàn)此應(yīng)用的關(guān)鍵在于:利用超低的插入損耗和高線性度開關(guān),在不同路徑選項之間進(jìn)行多路復(fù)用。
開關(guān)必須對RF信號盡可能沒有影響,且應(yīng)盡量避免增加插入損耗和失真。ADGM1304開關(guān)在2.5 GHz時提供同類最佳的插入損耗0.26 dB,以及69 dBm的典型三階交調(diào)截點(IP3)性能。除了插入損耗和失真之外,MEMS開關(guān)為此應(yīng)用帶來的另一個關(guān)鍵優(yōu)勢是其能夠傳輸真正的直流信號。這意味著,在典型RF儀器儀表衰減器開關(guān)應(yīng)用中開關(guān)不會限制低頻工作,使得儀器儀表能夠在必要時傳遞直流偏置電壓。
ADGM1304器件的物理尺寸為4 mm × 5 mm × 0.95 mm,與傳統(tǒng)的機(jī)電繼電器開關(guān)解決方案相比,它大幅減小了印刷電路板(PCB)的面積。此外,ADGM1304開關(guān)的啟動速度為30 μs,與機(jī)電繼電器相比有顯著提升,后者是毫秒量級,并在測量系統(tǒng)中引入顯著延時。ADGM1304器件的啟動生命周期可保證10億個周期,與機(jī)電繼電器相比,這是一大改進(jìn),此外,它還大幅提升了系統(tǒng)的整體可靠性。 CN0377 The circuit uses RF MEMS switches to route an RF signal between two surface-mount RF attenuators and two straight through paths. CN0377 | circuit note and reference circuit info DC to 2.5 GHz Switchable RF Attenuator Implemented with RF MEMS Switches | Analog Devices
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