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標(biāo)簽 > 光刻技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數(shù)量級(從毫米級到亞微米級),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。
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一種通過軟光刻技術(shù)制造剛性微流控器件的詳細(xì)方案
軟光刻技術(shù)可通過在可變形彈性體(例如聚二甲基硅氧烷(PDMS))上使用光刻圖形化模具,實(shí)現(xiàn)具有精確特征的微流控器件快速成型(rapid prototyp...
光刻(photoetching)是通過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝在此之后,晶圓表面會留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。被除去的部分可能形狀...
2011-09-05 標(biāo)簽:光刻技術(shù) 4.5k 0
日本最寄望于納米壓印光刻技術(shù),并試圖靠它再次逆襲,日經(jīng)新聞網(wǎng)也稱,對比EUV光刻工藝,使用納米壓印光刻工藝制造芯片,能夠降低將近四成制造成本和九成電量,...
設(shè)計和開發(fā)MEMS器件涉及大量的數(shù)學(xué)仿真。在制造過程中進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,不僅成本昂貴且非常耗時。為了精準(zhǔn)地預(yù)測系統(tǒng)響應(yīng),需要驗(yàn)證仿真模型。但是,當(dāng)需要用模型...
光刻技術(shù)是集成電路最重要的加工工藝。在整個芯片制造工藝中,幾乎每個工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。
2018-04-22 標(biāo)簽:光刻技術(shù) 4.2k 0
ASML脫胎于飛利浦、成立于1984年,其唯一產(chǎn)品類型就是集成電路制造環(huán)節(jié)中最核心的設(shè)備——光刻機(jī)。光刻機(jī)設(shè)備通過光源將掩模上的電路圖曝光至涂滿光刻膠的...
過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力,但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 1...
由于無法獲得尖端光學(xué)光刻技術(shù),中國芯片的制造工程目前限制在14納米,為了獲得更小的芯片、更強(qiáng)的性能,突破尖端包裝技術(shù)更為重要。此前,toff micro...
臺積電總市值達(dá)到2482億美元超越英特爾,成為半導(dǎo)體行業(yè)第一
據(jù)臺積電稱,采用EUV光刻技術(shù)的N7+(7nm+)工藝已經(jīng)大批量的供應(yīng)客戶,但官方?jīng)]有透露具體的合作廠商,目前唯一可完全確認(rèn)的就是華為麒麟990 5G,...
與傳統(tǒng)組織活檢相比,檢測原發(fā)或轉(zhuǎn)移灶中脫離進(jìn)入外周血循環(huán)的腫瘤細(xì)胞(CTC)具有腫瘤分子信息全、侵入性小、取樣方便等優(yōu)勢。CTC分析技術(shù)的挑戰(zhàn)在于如何從...
新型光刻技術(shù)解決硅材料脆性難題,MEMS機(jī)械性能極限有望突破
聯(lián)合小組經(jīng)過長達(dá)十年的研究,重點(diǎn)是采用光刻工藝替代聚焦離子束(FIB)工藝來完成在硅晶圓上的結(jié)構(gòu)制作。FIB雖然可以實(shí)現(xiàn)硅晶圓結(jié)構(gòu),但會對硅表面造成損傷...
2020-06-24 標(biāo)簽:mems光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 3.7k 0
對于3nm后的節(jié)點(diǎn),ASML及其合作伙伴正在研究一種全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列,具有0.55 NA(High-NA)透鏡...
一種新型激元光刻技術(shù),已成為工業(yè)制造的關(guān)鍵技術(shù)
據(jù)國內(nèi)媒體報道,來自中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所等單位的研究人員,開發(fā)了一種新型飛秒激光等離子激元光刻技術(shù)(FPL)。
光刻技術(shù)為中心的行業(yè)壁壘,EUV光刻機(jī)并非是是中國半導(dǎo)體行業(yè)的唯一癥結(jié)
在一顆芯片誕生的過程中,光刻是最關(guān)鍵又最復(fù)雜的一步。 說最關(guān)鍵,是因?yàn)楣饪痰膶?shí)質(zhì)將掩膜版上的芯片電路圖轉(zhuǎn)移至硅片,化虛為實(shí)。說最復(fù)雜,是因?yàn)楣饪坦に囆枰?..
2020-11-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻技術(shù)EUV光刻機(jī) 3.4k 0
研究人員基于不同Pt膜厚與波長比的LGS/Pt器件的結(jié)構(gòu)開展實(shí)驗(yàn)研究??蒲腥藛T采用最小二乘法對實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,得出反射系數(shù)計算公式,利用有限元方法提取...
負(fù)性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是一種經(jīng)過曝光后釋放出氮?dú)獾墓饷魟a(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián)。從而變得不溶于顯...
商務(wù)部長威爾伯·羅斯(Wilbur Ross)宣稱:“關(guān)鍵技術(shù)和新興技術(shù)國家戰(zhàn)略是保護(hù)美國國家安全,確保美國在軍事、情報和經(jīng)濟(jì)事務(wù)中保持技術(shù)領(lǐng)先地位的重...
本文介紹了7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案。 一、什么是7納米工藝? 在談?wù)?納米工藝之前,我們先了解一下“納米”是什么意思。納米(nm)是一個長度單...
AMD憑借其5000系列處理器再次成功進(jìn)入了用戶的應(yīng)收名單
該公司最近推出了Ryzen 9 5950X,5900X,5800X和5600X型號。盡管在Ryzen 5000系列中使用了7 nm光刻技術(shù),但與前幾代產(chǎn)...
隨著科技的飛速發(fā)展,CMOS技術(shù)也在不斷進(jìn)步,以滿足日益增長的性能需求。從最初的簡單邏輯門到現(xiàn)在的復(fù)雜集成電路,CMOS技術(shù)已經(jīng)成為推動數(shù)字革命的關(guān)鍵力...
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