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標(biāo)簽 > 光刻技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個(gè)數(shù)量級(jí)(從毫米級(jí)到亞微米級(jí)),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。
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EUV光刻技術(shù)助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
EUV光刻技術(shù)為半導(dǎo)體制造商提供一個(gè)前所未有的速度開發(fā)最強(qiáng)大芯片的機(jī)會(huì)。
ASML發(fā)布2024年財(cái)報(bào),業(yè)績強(qiáng)勁增長
阿斯麥(ASML)近日發(fā)布了其2024年第四季度及全年財(cái)報(bào),數(shù)據(jù)顯示公司業(yè)績繼續(xù)保持強(qiáng)勁增長態(tài)勢(shì)。 在2024年第四季度,ASML實(shí)現(xiàn)了93億歐元的凈銷...
2025-02-10 標(biāo)簽:光刻技術(shù)ASML季度財(cái)報(bào) 1.3k 0
英特爾擬斥資20億美元擴(kuò)建愛爾蘭半導(dǎo)體工廠,采用先進(jìn)技術(shù)
Fab 34是英國在歐洲如今唯一運(yùn)用-極紫外線(EUV)光刻技術(shù)的芯片制作基地,負(fù)責(zé)生產(chǎn)英特爾第四代Intel 4工藝的生產(chǎn)力工具如Meteor Lak...
光刻技術(shù)涉及操縱光線將特征精確蝕刻到表面上,通常用于制造計(jì)算機(jī)芯片和透鏡等光學(xué)器件。但是制造過程中的微小偏差往往導(dǎo)致這些器件達(dá)不到設(shè)計(jì)者的預(yù)期。
數(shù)十年的光刻技術(shù),High-NA EUV或成為終點(diǎn)?
盡管EUV的生產(chǎn)力還沒有達(dá)到客戶的預(yù)期,但幾年來,EUV 已經(jīng)成為世界上最先進(jìn)芯片的生產(chǎn)過程中不可或缺的一部分。
Samsung 宣佈開始量產(chǎn) 10nm DRAM
Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒,加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路,...
臺(tái)積電押注先進(jìn)制程研發(fā),臺(tái)積電資本支出縮水
臺(tái)積電因部分制程設(shè)備可共享,加上部分遞延預(yù)算將在今年動(dòng)用,2024年資本支出恐降至280億~300億美元,較今年減少約6.3%~12.5%。外界預(yù)期,一...
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