制造工藝

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制造工藝指制造CPU或GPU的制程，或指晶體管門電路的尺寸，單位為納米（nm）。主流的CPU制程已經(jīng)達(dá)到了7-14納米（AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝，intel第9代全面采用14nm），更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達(dá)到了4nm或更高，已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。

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制造工藝技術(shù)

陶瓷基板電鍍封孔/填孔工藝解析

電鍍封孔是一種常用的印制電路板制造工藝，用于填充和密封導(dǎo)通孔(通孔)以增強(qiáng)導(dǎo)電性和防護(hù)性。在印制電路板制造過程中，導(dǎo)通孔是用于連接不同電路層的通道。電鍍...

2023-06-05 標(biāo)簽：PCB 印制電路板電鍍 4.3k 0

提高金絲球焊合格率的工藝研究

金絲鍵合是微組裝制造工藝的關(guān)鍵工序，為解決電子產(chǎn)品金絲球焊合格率低的問題，根據(jù)金絲球焊的鍵合原理和工作過程，選取了鍵合壓力、超聲功率、超聲時間、加熱臺溫...

2023-02-08 標(biāo)簽：工藝制造工藝鍵合 4.3k 0

半導(dǎo)體封裝的分類和應(yīng)用案例

在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導(dǎo)...

2023-12-14 標(biāo)簽：芯片制造工藝半導(dǎo)體封裝 4.2k 0

肖特基整流二極管結(jié)構(gòu)介紹

肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點，廣泛用于開關(guān)電源及功率變換器中。

2023-04-17 標(biāo)簽：二極管整流二極管變換器 4.2k 0

FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時工藝面臨的影響。

2025-05-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 4.1k 0

IGBT模塊的全銅工藝技術(shù)介紹

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Translator, IGBT）是電氣化軌道交通裝備中負(fù)責(zé)電能轉(zhuǎn)換的核心部件。高壓大...

2023-09-07 標(biāo)簽：IGBT 晶體管制造工藝 4k 0

TSV制造工藝概述

硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術(shù)是一種通過在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填充導(dǎo)電材料來實現(xiàn)芯片間垂直互連的先進(jìn)封裝技術(shù)。

2025-10-13 標(biāo)簽：制造工藝 TSV 先進(jìn)封裝 4k 0

光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求...

2025-03-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體制造工藝 3.9k 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述

等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術(shù)節(jié)點，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競爭的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...

2023-04-21 標(biāo)簽：芯片等離子體封裝 3.8k 0

LTCC基板三大關(guān)鍵工藝問題的優(yōu)化方案

現(xiàn)代LTCC技術(shù)是將低溫?zé)Y(jié)陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶，在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿和精密導(dǎo)體漿料印刷等工藝制出所設(shè)計的電路版圖，并將多個元...

2023-02-14 標(biāo)簽：工藝制造工藝基板 3.8k 0

半導(dǎo)體制造工藝科普

半導(dǎo)體元件制造涉及到一系列復(fù)雜的制作過程，將原材料轉(zhuǎn)化為成品元件，以應(yīng)用于提供各種關(guān)鍵控制和傳感功能應(yīng)用的需求。

2024-01-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 3.6k 0

多層PCB的制造工藝流程

多層板制造方法有電鍍通孔法以及高密度增層法兩種，都是通過不同工藝的組合來實現(xiàn)電路板結(jié)構(gòu)。其中目前采用最多的是電鍍通孔法，電鍍通孔法經(jīng)過超過半個世紀(jì)的發(fā)展...

2023-05-04 標(biāo)簽：pcb 多層板制造工藝 3.5k 0

鰭式場效應(yīng)晶體管制造工藝流程

FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維...

2025-02-17 標(biāo)簽：晶體管制造工藝 FinFET 3.4k 0

原子級工藝實現(xiàn)納米級圖形結(jié)構(gòu)的要求

技術(shù)節(jié)點的每次進(jìn)步都要求對制造工藝變化進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。最先進(jìn)的工藝現(xiàn)在可以達(dá)到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納...

2020-06-02 標(biāo)簽：制造工藝 EUV 3d nand 3.3k 0

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

2023-08-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造工藝光刻工藝 3.3k 0

一文詳解外延生長技術(shù)

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，對高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長...

2025-06-16 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體晶體管 3.2k 0

半導(dǎo)體分層工藝的簡單介紹

在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（...

2025-07-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造工藝芯片制造 3.2k 0

用于光聲成像的陶瓷PZT薄膜雙頻/多頻PMUT陣列

據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，由北京理工大學(xué)、佛羅里達(dá)大學(xué)（University of Florida）、南佛羅里達(dá)大學(xué)（University of Sout...

2022-11-30 標(biāo)簽：制造工藝換能器 PZT 3.2k 0

Micro LED制造工藝中四大關(guān)鍵技術(shù)難點

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，MicroLED作為一種新興的顯示技術(shù)，因其高亮度、高對比度、低功耗等優(yōu)點，受到了廣泛關(guān)注。為了實現(xiàn)MicroLED技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化...

2025-08-11 標(biāo)簽：檢測制造工藝 Micro LED 3.1k 0

集成電路制造工藝中的High-K材料介紹

本文介紹了在集成電路制造工藝中的High-K材料的特點、重要性、優(yōu)勢，以及工藝流程和面臨的挑戰(zhàn)。

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片集成電路制造工藝 3.1k 0

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LiFi是可見光無線通信又稱“光保真技術(shù)”，是一種利用可見光波譜（如燈泡發(fā)出的光）進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)娜聼o線傳輸技術(shù)。本章詳細(xì)介紹了LiFi網(wǎng)絡(luò)什么時候上市，LiFi技術(shù)原理，lifi技術(shù)應(yīng)用等內(nèi)容。
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美國國防高級研究計劃局簡稱DARPA，是美國國防部屬下的一個行政機(jī)構(gòu)，負(fù)責(zé)研發(fā)用于軍事用途的高新科技。成立于1958年，當(dāng)時的名稱是“高等研究計劃局”（Advanced Research Projects Agency，簡稱ARPA），1972年3月改名為DARPA，但在1993年2月改回原名ARPA，至1996年3月再次改名為DARPA。
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所謂量子芯片就是將量子線路集成在基片上，進(jìn)而承載量子信息處理的功能。借鑒于傳統(tǒng)計算機(jī)的發(fā)展歷程，量子計算機(jī)的研究在克服瓶頸技術(shù)之后，要想實現(xiàn)商品化和產(chǎn)業(yè)升級，需要走集成化的道路。超導(dǎo)系統(tǒng)、半導(dǎo)體量子點系統(tǒng)、微納光子學(xué)系統(tǒng)、甚至是原子和離子系統(tǒng)，都想走芯片化的道路。
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iPad Pro，是蘋果公司推出的一款平板電腦，北京時間2021年4月21日凌晨，iPad Pro在2021蘋果春季新品發(fā)布會上正式發(fā)布。新款iPad Pro支持5G，官方稱理想狀態(tài)下下載速度達(dá)3.5Gbps；在美國支持毫米波，下載速度可達(dá)4Gbps。
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