制造工藝

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制造工藝指制造CPU或GPU的制程，或指晶體管門電路的尺寸，單位為納米（nm）。主流的CPU制程已經(jīng)達到了7-14納米（AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝，intel第9代全面采用14nm），更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達到了4nm或更高，已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。

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制造工藝技術(shù)

SiP和SoC的協(xié)同發(fā)展

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，集成電路正沿著三個方向發(fā)展：一是集成電路芯片的特征尺寸向不斷縮小的方向發(fā)展；二是大量的不同需求催生多種類型的集成電路芯片；三是為...

2023-05-23 標(biāo)簽：芯片集成電路 SiP 3.1k 0

半導(dǎo)體封裝工藝有哪些半導(dǎo)體封裝類型及其應(yīng)用

圖1為半導(dǎo)體封裝方法的不同分類，大致可以分為兩種：傳統(tǒng)封裝和晶圓級(Wafer-Level)封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進行封裝;而晶...

2023-07-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 3k 0

多芯片封裝的基本概念和關(guān)鍵技術(shù)

本文簡單介紹了多芯片封裝的概念、技術(shù)、工藝以及未來發(fā)展趨勢。

2024-12-04 標(biāo)簽：集成電路制造工藝多芯片封裝 3k 0

VCSEL制造工藝全流程

作為自動駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術(shù)的光源，半導(dǎo)體激光器的市場變得活躍起來。其中之一是具有小型化、節(jié)能等優(yōu)點的VCSEL（Vertical Cav...

2023-05-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造工藝 VCSEL 3k 0

集成電路制造中的電鍍工藝介紹

本文介紹了集成電路制造工藝中的電鍍工藝的概念、應(yīng)用和工藝流程。

2025-03-13 標(biāo)簽：集成電路電鍍制造工藝 3k 0

機床的幾何精度什么和什么時是有區(qū)別的

機床的幾何精度是指機床在加工過程中，其各部件的幾何形狀和相互位置精度。它直接關(guān)系到機床的加工精度和加工質(zhì)量。機床的幾何精度主要包括機床的直線度、平面度、...

2024-06-07 標(biāo)簽：制造工藝機床光學(xué)測量 3k 0

RFID天線主要有哪些制造工藝

RFID（射頻識別）天線的制造工藝是RFID技術(shù)中至關(guān)重要的一環(huán)，它直接影響到RFID標(biāo)簽的性能、成本和應(yīng)用范圍。目前，RFID天線的主要制造工藝包括蝕...

2024-08-09 標(biāo)簽：線圈制造工藝 RFID天線 2.9k 0

MEMS制造工藝過程中膜厚測試詳解

膜厚測試在MEMS制造工藝中至關(guān)重要，它不僅關(guān)乎工藝質(zhì)量，更直接影響著最終成品的性能。為了確保每一片MEMS器件的卓越品質(zhì)，精確測量薄膜厚度是不可或缺的一環(huán)。

2024-01-08 標(biāo)簽：mems 制造工藝測量儀器 2.9k 0

不同的濕法晶片清洗技術(shù)方法

雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對于確保成功的前沿節(jié)點、先進半導(dǎo)體器件制造，濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要，這是因為器件的可靠性和...

2022-07-07 標(biāo)簽：制造工藝晶片清洗技術(shù) 2.8k 0

主流氧化工藝方法詳解

在集成電路制造工藝中，氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜，不僅可以實現(xiàn)對硅表面的保護和鈍化，還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、...

2025-06-12 標(biāo)簽：集成電路制造工藝氧化工藝 2.8k 0

CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識

本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識，重點將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟對器件及電路性能的影響上。

2025-06-04 標(biāo)簽：集成電路 CMOS 晶體管 2.8k 0

晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡介

經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度...

2023-05-22 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2.8k 0

電子封裝用陶瓷基板材料及其制備工藝

陶瓷基板由于其良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低，在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、LD（激光二極管）...

2022-09-07 標(biāo)簽：制造工藝電子封裝陶瓷基板 2.8k 0

等離子去膠新工藝簡介

目前,在國內(nèi)外半導(dǎo)體器件制造工藝中,用等離子去膠工藝代替常規(guī)化學(xué)溶劑去膠及高溫氧氣去膠已獲得顯著效果,越來越引起半導(dǎo)體器件制造者的重視。由于該工藝操作簡...

2022-08-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子制造工藝 2.8k 0

化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達8500cm2...

2025-05-28 標(biāo)簽：制造工藝化合物硅半導(dǎo)體 2.7k 0

3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。

2025-04-08 標(biāo)簽：NAND 制造工藝閃存芯片 2.6k 0

硅光通信技術(shù)的原理和基本結(jié)構(gòu)

本文介紹了硅光芯片的發(fā)展歷史，詳細介紹了硅光通信技術(shù)的原理和幾個基本結(jié)構(gòu)單元。

2025-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造工藝硅光芯片 2.6k 0

柵極技術(shù)的工作原理和制造工藝

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進柵極工藝技術(shù)。

2025-03-27 標(biāo)簽：集成電路晶體管制造工藝 2.6k 0

SMT制造工藝中常見的首件檢測技術(shù)

企業(yè)在做首件測試時，通常會根據(jù)不同的生產(chǎn)需求，選擇不同的測試方法，其中FAI首件測試系統(tǒng)和AOI測試是企業(yè)常用的方法，下面我們來看看兩者的區(qū)別。

2023-08-06 標(biāo)簽：smt 制造工藝檢測技術(shù) 2.4k 0

集成電路制造工藝中的測量方法及特點

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-05-17 標(biāo)簽：集成電路制造工藝光刻技術(shù) 2.4k 0

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智能手表，是將手表內(nèi)置智能化系統(tǒng)、搭載智能手機系統(tǒng)而連接于網(wǎng)絡(luò)而實現(xiàn)多功能，能同步手機中的電話、短信、郵件、照片、音樂等。
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　　3D打?。?DP）即快速成型技術(shù)的一種，又稱增材制造，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。 3D打印技術(shù)出現(xiàn)在20世紀(jì)90年代中期，實際上是利用光固化和紙層疊等技術(shù)的最新快速成型裝置。　　1986年，美國科學(xué)家Charles Hull開發(fā)了第一臺商業(yè)3D印刷機。
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所謂量子芯片就是將量子線路集成在基片上，進而承載量子信息處理的功能。借鑒于傳統(tǒng)計算機的發(fā)展歷程，量子計算機的研究在克服瓶頸技術(shù)之后，要想實現(xiàn)商品化和產(chǎn)業(yè)升級，需要走集成化的道路。超導(dǎo)系統(tǒng)、半導(dǎo)體量子點系統(tǒng)、微納光子學(xué)系統(tǒng)、甚至是原子和離子系統(tǒng)，都想走芯片化的道路。
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